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電力電子專欄

晶圓級立方碳化硅單晶生長取得新突破！

碳化硅(SiC)具有寬帶隙、高擊穿場強(qiáng)、高飽和電子漂移速率和高熱導(dǎo)率等優(yōu)異性能，在新能源汽車、光伏和5G通訊等領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用。與目前應(yīng)用廣泛的4H-SiC相比，立方SiC(3C-SiC)具有更高的載流子遷移率(2-4倍)、低  [查看詳情]

[2024年第1期][閱讀1298次]
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