三菱電機(jī)開始提供工業(yè)用第8代IGBT模塊樣品
日期:
2025-02-14 23:12
與第7代IGBT相比，獨特的SDA結(jié)構(gòu)有助于抑制dv/dt5，并實現(xiàn)更高的開關(guān)速度，有望降低導(dǎo)通開關(guān)損耗。
獨特的CPL結(jié)構(gòu)抑制了關(guān)斷浪涌電壓，與第7代IGBT相比芯片更薄。
2）通過將額定電流提高到1800A，有助于提高逆變器的輸出功率
優(yōu)化的芯片布局實現(xiàn)了1800A的額定電流，是現(xiàn)有產(chǎn)品3的1.5倍。
3）利用現(xiàn)有的LV100封裝簡化并聯(lián)設(shè)計
采用現(xiàn)有封裝簡化了并聯(lián)設(shè)計，可以兼容多種功率等級的逆變器設(shè)計。
使用現(xiàn)有封裝簡
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