賓夕法尼亞、MALVERN — 2017 年 4 月25 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，發(fā)布新的30V N溝道TrenchFET^® 第四代功率MOSFET---SiA468DJ，為移動設(shè)備、消費(fèi)電子和電源提供了更高的功率密度和效率。Vishay Siliconix SiA468DJ采用超小尺寸PowerPAK^® SC-70封裝，是具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻和最高的連續(xù)漏極電流的2mm x 2mm塑料封裝的30V器件。

今天發(fā)布的MOSFET是目前尺寸最小的30V產(chǎn)品之一，比PowerPAK 1212封裝的器件小60%，在筆記本電腦、平板電腦、VR頭盔和DC-DC磚式電源，無線充電器中的H橋，以及無人機(jī)的電機(jī)驅(qū)動控制中，可用于DC/DC轉(zhuǎn)換和電池管理的負(fù)載切換。

SiA468DJ在10V和4.5V下具有8.4mΩ和11.4mΩ的極低導(dǎo)通電阻，在這些應(yīng)用中能減小傳導(dǎo)損耗，提高效率。其導(dǎo)通電阻比前一代產(chǎn)品低51%，比最接近的競爭產(chǎn)品低6%。另外，MOSFET的優(yōu)值系數(shù) (FOM) 針對各種功率轉(zhuǎn)換拓?fù)溥M(jìn)行了優(yōu)化。

SiA468DJ的連續(xù)漏極電流高達(dá)37.8A，比前一代器件高68%，比最接近的競爭產(chǎn)品高50%。高漏極電流為會碰到高瞬變電流的應(yīng)用產(chǎn)品提供了足夠的安全余量。MOSFET進(jìn)行了100%的R_G測試，符合RoHS，無鹵素。

SiA468DJ現(xiàn)可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十三周。

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Vishay MOSFET

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VISHAY簡介

Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財(cái)富1000 強(qiáng)企業(yè)”，是全球分立半導(dǎo)體（二極管、MOSFET和紅外光電器件）和無源電子元件（電阻器、電感器、電容器）的最大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè)、計(jì)算、汽車、消費(fèi)、通信、國防、航空航天、電源及醫(yī)療市場中幾乎所有類型的電子設(shè)備和裝備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略，以及“一站式”服務(wù)使Vishay成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。有關(guān)Vishay的詳細(xì)信息，敬請瀏覽網(wǎng)站 www.vishay.com。

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