紐倫堡 2006年11月27日- SEMiSTART，一款來自賽米控的新型反并聯(lián)可控硅模塊（W1C 開關(guān)）。該模塊被設(shè)計用于過載情況，它有三種不同的尺寸和五種不同的電流等級。尺寸最小的模塊可承受560A的過載電流，最大的則能夠承受最高3000A的過載電流長達(dá)20秒（在啟動階段）；最大阻斷電壓為1400 V 和1800 V。
與采用傳統(tǒng)的平板可控硅的設(shè)計不同，SEMiSTART模塊中的可控硅芯片是采用壓接技術(shù)直接壓在兩個散熱器之間。通過使用優(yōu)化過的芯片冷卻技術(shù)，從而可以實現(xiàn)結(jié)構(gòu)高度緊湊且穩(wěn)健可靠的系統(tǒng)。此外，散熱器除用于散熱還作為電氣連接器。使用SEMiSTART模塊，軟啟動器的結(jié)構(gòu)可以更為緊湊，從而帶來更高的性價比。
由于可控硅芯片被直接壓置在散熱器之間，所以這些模塊擁有更少的熱電阻Rth(j-s) �？傮w上，新模塊的接觸層很少，這意味著與傳統(tǒng)方案相比新模塊的熱阻更小，舉例來說，這種新模塊的總熱阻只相當(dāng)于傳統(tǒng)方案中平板可控硅和散熱器之間的熱接觸熱阻的一半多，這主要是由于新模塊中去掉了阻礙熱量從芯片向散熱器傳輸?shù)碾姎饨^緣物質(zhì)。
SEMiSTART 模塊安裝便利，不需要諸如安裝平板可控硅所需的安裝夾具以及在半導(dǎo)體模塊中所需的導(dǎo)熱硅脂。
該系列新產(chǎn)品符合歐盟RoHS和WEEE指令的規(guī)定。
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