據(jù)最新調(diào)查報告，預(yù)計2012年全球分立功率半導(dǎo)體市場將同比增長3.7%，產(chǎn)值達134億美元。相比2011年的2.2%有了微幅的提升，同時，細分市場數(shù)據(jù)顯示，對于不同的產(chǎn)品以及應(yīng)用市場可說是冰火兩重天。
2012年增長最快的分立器件和模塊產(chǎn)品仍為IGBT。2011年，IGBT銷售額首次超過10億美元，年內(nèi)大部分時間都處于供不應(yīng)求的狀態(tài)。這種境況一直到歐債危機及中國政府暫停了相應(yīng)的能源補貼之后才有所減緩。2012年，IGBT增長的動力來自于工業(yè)電機驅(qū)動器和電源模塊，以及混合動力汽車應(yīng)用。預(yù)計雖然增長會放緩，但是IGBT市場仍將取得19%的增幅。
然而2011年，功率MOSFET、可控硅和GTO、IGCT、GCT的增長緩慢。MOSFET和整流器在功率半導(dǎo)體市場所占的份額總和將由2011年的75%下滑至2012年的74%以下，到2016年將進一步下滑至僅72%。
全球IGCT市場規(guī)模2012年為3.9億人民幣，增長趨勢受經(jīng)濟影響，開始放緩。
圖表：全球IGCT銷售額及增長趨勢
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