新款100V N溝道TrenchFET 功率MOSFET采用ThunderFET?技術，在1.6mm x 1.6mm和2mm x 2mm占位面積內(nèi)實現(xiàn)83m的低導通電阻

　　賓夕法尼亞、MALVERN - 2013 年 1 月9 日 - 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款100V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiB456DK和SiA416DJ，將Vishay的ThunderFET應用到更小的封裝尺寸上。SiB456DK和SiA416DJ是業(yè)內(nèi)首次采用這種小尺寸、熱增強型PowerPAK? SC-75 1.6mm x 1.6mm和PowerPAK  SC-70 2mm x 2mm占位面積的100V N溝道器件，導通電阻分別小于200m?和100m?。

　　今天推出的MOSFET適用于升壓轉(zhuǎn)換器、低功率DC/AC逆變器，以及電信磚式電源、負載點應用和便攜式設備中的LED照明等小型DC/DC轉(zhuǎn)換器的初級側(cè)開關。對于設計者來說，器件的超小PowerPAK SC-75和PowerPAK SC-70封裝可在這些應用中節(jié)省PCB空間，其低導通電阻可實現(xiàn)更低的導通電阻，從而降低能源消耗，提高效率。另外，MOSFET可在4.5V下導通，簡化了柵極驅(qū)動。

　　在導通電阻比尺寸更重要的應用中，2mm x 2mm的SiA416DJ在10V、4.5V下的最大導通電阻為83m?和130m?，導通電阻與柵極電荷乘積在10V和4.5V下分別為540mΩ-nC和455mΩ-nC，該參數(shù)是DC/DC轉(zhuǎn)換器應用中評價MOSFET的優(yōu)值系數(shù)(FOM)。對于尺寸大小更重要的應用，1.6mm x 1.6mm的SiB456DK在10V、4.5V下的最大導通電阻為185m?和310 m?，在10V、4.5V下的FOM為611mΩ-nC和558mΩ-nC。

　　SiB456DK和SiA416DJ進行了100%的Rg和UIS測試。這些MOSFET符合JEDEC JS709A的無鹵素規(guī)定，符合RoHS指令2011/65/EU。

　　新款MOSFET現(xiàn)可提供樣品，并已實現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十二周到十四周。

　　VISHAY簡介

　　Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的"財富1,000 強企業(yè)"，是全球分立半導體（二極管、MOSFET和紅外光電器件）和無源電子元件（電阻器、電感器、電容器）的最大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè)、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天、電源及醫(yī)療市場中幾乎所有類型的電子設備和裝備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略，以及"一站式"服務使Vishay成為了全球業(yè)界領先者。有關Vishay的詳細信息，敬請瀏覽網(wǎng)站 www.vishay.com。