SiC MOSFET的閾值電壓（VGS(th)）通常低于Si IGBT。降低閾值電壓可降低SiC MOSFET的通態(tài)電阻。驅(qū)動SiC MOSFET需要對柵極施加負偏壓，并仔細設計控制電路布線，這是為了防止噪聲干擾引起的故障。此外，閾值電壓隨著溫度升高而降低（圖1），因此建議在高溫運行期間檢查是否有異常。
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2010年，中國移動互聯(lián)網(wǎng)用戶規(guī)模達到3.03億人2011年，中國移動互聯(lián)網(wǎng)行業(yè)進入了更加快速發(fā)展的一年，無論是用戶規(guī)模還是手機應用下載次數(shù)都有了快速的增長。在移動互聯(lián)網(wǎng)發(fā)展的大的趨勢下，中自傳媒已經(jīng)開始進行區(qū)別于傳統(tǒng)互聯(lián)網(wǎng)的運營模式探索，伴隨著產(chǎn)業(yè)鏈和產(chǎn)業(yè)格局的變化提供創(chuàng)新的服務
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