SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）是一種利用金屬和半導(dǎo)體接觸，在接觸處形成勢(shì)壘，具有整流功能的器件。Si SBD耐壓一般在200V以下，而耐壓在600V以上的SiC SBD產(chǎn)品已廣泛產(chǎn)品化。SiC SBD的某些產(chǎn)品具有3300V的耐壓。半導(dǎo)體器件的擊穿電壓與半導(dǎo)體漂移層的厚度成正比，因此為了提高耐壓，必須增加器件的厚度。而SiC的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度是Si的10倍。因此，采用SiC半導(dǎo)體，理論上是有可能制造出與Si器件厚度相同、同時(shí)其耐壓10倍于Si器件的SiC SBD。例如，耐壓為3300V的SiC SBD漂移層厚度約為30μm，這使其比Si更薄。
SBD是一種單極型器件，因此器件內(nèi)部不會(huì)積聚少數(shù)載流子。關(guān)斷過(guò)程中流過(guò)的電流是其n漂移區(qū)形成耗盡層期間掃出的電荷，以維持反向阻斷電壓，這種現(xiàn)象類(lèi)似于快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)電流。
如圖1為SiC SBD不同溫度下正向壓降對(duì)比，其微分電阻具有正溫度特性，可在并聯(lián)使用時(shí)抑制芯片之間的電流不平衡。這一特性有利于防止SBD熱失控。圖2為SiC SBD不同溫度下正向特性變化。
共0條 [查看全部] 網(wǎng)友評(píng)論