三菱電機從1994年開始研發(fā)SiC-MOSFET，經(jīng)過試制驗證，目前正處于普及擴大的階段。SiC-MOSFET能夠使系統(tǒng)整體的效率最大化，具有濾波器等被動元件尺寸減小和冷卻系統(tǒng)小型化等各種優(yōu)點，逐漸有替換Si-IGBT的趨勢。但是，SiC-MOSFET與Si-IGBT相比，由于開關速度快造成浪涌電壓高，超過器件額定電壓的可能性提升。為了使浪涌電壓在器件的額定電壓內，其中一種解決方案是增加柵極電阻并減慢開關速度，但這種解決方法沒有利用SiC-MOSFET低損耗工作的優(yōu)點。目前工業(yè)用Si-IGBT模塊中廣泛采用NX封裝，在考慮從Si-IGBT易替代性的同時，還可以利用SiC-MOSFET的特點，開發(fā)出能夠為系統(tǒng)高效率化做出貢獻的產(chǎn)品。圖1表示外觀圖，圖2表示內部結構圖。
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