通過使用SiC，可實現(xiàn)額定電壓3.3kV以上的高耐壓MOSFET。由于MOSFET是單極性器件，少數(shù)載流子不會積聚，所以能夠?qū)崿F(xiàn)極低的開關(guān)損耗。一般來說，由于高耐壓模塊所處理的電流大，需要將功率損耗引起的發(fā)熱控制在容許值以下，因此將載波頻率（開關(guān)頻率）設(shè)置得較低。但通過使用SiC MOSFET，系統(tǒng)能夠使用高載波頻率，可為系統(tǒng)提供諸如高性能、小型化等前所未有的優(yōu)點。
高耐壓SiC MOSFET的漂移層電阻和JFET區(qū)域電阻占導(dǎo)通電阻的比例較大。由于漂移層的電阻是由擊穿電壓和物理特性值決定的，很難通過設(shè)計來降低漂移層的電阻。因此，通過優(yōu)化JFET區(qū)域設(shè)計來降低電阻非常重要。在JFET區(qū)域的設(shè)計中，在降低電阻的同時，為了確�？煽啃�，還需要抑制最大電場強度。如第11講所述，通過使用在第二代SiC MOSFET開發(fā)中獲得的JFET摻雜技術(shù)，實現(xiàn)了兼具低電阻和高可靠性的3.3kV SiC MOSFET。此外，高耐壓SiC MOSFET還需要考慮的性能是短路耐受能力。當施加高電壓時，必須進一步減小短路電流以保證器件免受短路故障的影響。SiC MOSFET短路電流的抑制伴隨著導(dǎo)通電阻的增加，因此設(shè)計時必須考慮這些特性的平衡。
圖1表示3.3kV SiC MOSFET模塊的正向特性。圖中還顯示了與SiC MOSFET具有相同有效面積的Si IGBT的正向特性。在低電流區(qū)域，與存在內(nèi)建電勢的Si IGBT相比，SiC MOSFET的通態(tài)電壓大幅降低。這是SiC MOSFET的一大優(yōu)點。
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