經(jīng)過(guò)拋光的晶圓外周通常會(huì)形成邊緣，在碰到物體時(shí)非常容易破裂。因此，需要對(duì)晶圓的外周進(jìn)行邊緣研磨，以避免出現(xiàn)銳角。圖2展示了磨邊前后的外周部的剖面形狀圖。此外，關(guān)于邊緣形狀，行業(yè)協(xié)會(huì)已制定了相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)。

SiC是一種非常硬的材料，常被用作各種材料加工時(shí)的磨粒，因此將SiC晶棒加工成晶圓是一個(gè)長(zhǎng)時(shí)間且難度較高的過(guò)程，仍在不斷嘗試改良中。

作為切片加工的新嘗試，有報(bào)道稱有利用激光切片的方法。在這種技術(shù)中，激光束從圓柱形晶體的頂部照射，在SiC晶體內(nèi)所需的切片深度處聚焦形成改質(zhì)區(qū)，通過(guò)對(duì)整個(gè)表面進(jìn)行掃描將改質(zhì)區(qū)擴(kuò)展為平面，然后剝離出薄片。一般使用多線切割進(jìn)行切割時(shí)，會(huì)產(chǎn)生不可忽略的切口損耗，同時(shí)由于切割線的波動(dòng)會(huì)導(dǎo)致凹凸不平，因此研磨量也會(huì)增加，導(dǎo)致浪費(fèi)更多的晶體部分。相比之下，采用激光進(jìn)行切片的方法，可以減少切口損耗，同時(shí)還能縮短加工時(shí)間，因此被視為一種有前景的技術(shù)。

此外，作為切片加工的另一種方法，正嘗試在金屬絲與SiC晶體之間施加電壓，產(chǎn)生放電以進(jìn)行切割，從而減少切口損耗，這種方法被稱為金屬絲放電切片加工。

作為一種與傳統(tǒng)SiC單晶制備晶圓不同的方法，已有研究報(bào)告提出在異質(zhì)襯底（支撐襯底）的表面上粘合SiC單晶薄膜來(lái)制備SiC晶圓。圖3展示了粘合和剝離過(guò)程的工藝流程示意圖。首先，氫離子等從SiC單晶的表面方向注入到剝離深度。在表面平坦的支撐襯底（多晶SiC等）上疊加SiC單晶的離子注入面，然后通過(guò)加壓和升溫將SiC單晶層轉(zhuǎn)移至支撐襯底上，然后剝離。此后，SiC單晶將進(jìn)行表面
平坦化處理，并再次用于以上粘合過(guò)程。與SiC單晶相比，支撐襯底的成本較低，盡管目前仍有許多問(wèn)題有待解決，但為了降低晶圓成本，開(kāi)發(fā)仍在進(jìn)行中。