圖片來源：中建三局一公司

項目位于福建省廈門市，規(guī)劃總建筑面積達23.45萬平方米，定位為具備國際先進水平的#8英寸 SiC功率器件制造平臺。建成投產后，將極大提升士蘭微碳化硅芯片制造能力，進一步鞏固其在中國第三代半導體產業(yè)鏈中的戰(zhàn)略地位，有力助推廈門市第三代半導體產業(yè)加快發(fā)展。

士蘭微是國內主要的綜合型半導體設計與制造（IDM）企業(yè)之一，公司1997年成立，2003年3月在上海證券交易所主板上市。多年來專注于硅半導體和化合物半導體產品的設計、制造和封裝，技術水平、營業(yè)規(guī)模、盈利能力等在國內同行中均位居前列。其在廈門已布局多個重大項目，如士蘭集科 “12英寸特色工藝芯片生產線” 和士蘭明鎵 “先進化合物半導體器件生產線”，8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產線項目是其又一重要布局。

士蘭微在碳化硅領域持續(xù)發(fā)力，不斷取得新突破。早在2017年就開始進行碳化硅產業(yè)布局，目前已實現產能的逐步擴大。2021年8月，士蘭微SiC功率器件中試線實現通線，并于2022年完成車規(guī)級SiC MOSFET器件的研發(fā)并向客戶送樣、開始量產。2022年7月，士蘭明鎵宣布建設二期項目，計劃新增6英寸SiC MOSFET芯片12萬片/年、6英寸SiC SBD芯片2.4萬片/年的生產能力。2024年6月，廈門士蘭集宏8英寸SiC功率器件芯片制造生產線項目開工，總投資120億，兩期建設完成后將形成8英寸SiC功率器件芯片年產72萬片的生產能力。

此前4月8日，士蘭微發(fā)布公告披露相關碳化硅項目進展。截止當時，其士蘭明鎵6英寸SiC功率器件芯片生產線項目已形成月產9,000片6吋SiC MOS芯片的生產能力，第Ⅳ代SiC芯片與模塊已送客戶評測，基于第Ⅳ代SiC芯片的功率模塊預計將于2025年上量。而士蘭集宏8吋SiC mini line已實現通線，預計將在2025年4季度實現全面通線并試生產，以趕上2026年車用SiC市場的快速成長。

圖片來源：士蘭微公告截圖

如今士蘭微8英寸碳化硅項目首臺設備的提前搬入，預示著項目將快速進入設備安裝與調試階段，有望按計劃實現通線和試生產。這不僅將提升士蘭微自身的市場競爭力，也將為國內碳化硅芯片市場注入新的活力，推動新能源汽車、光伏、儲能等多個行業(yè)的發(fā)展。

除了在項目推進上成果斐然，士蘭微在公司內部架構調整方面同樣動作頻頻。6月25日，士蘭微發(fā)布公告，獨立董事何樂年因連續(xù)任職滿六年提交辭職報告，在新任選出前仍履職。在公司業(yè)務布局拓展上，士蘭微近期也有新動作。天眼查App顯示，近期廈門士蘭集華微電子有限公司正式成立，注冊資本達1000萬人民幣，由杭州士蘭微電子股份有限公司全資持股，覆蓋集成電路全業(yè)務，深化垂直整合，為發(fā)展蓄勢。