圖片來源：羅姆半導(dǎo)體

圖為BM6GD11BFJ-LB

SOP-JW8 Package

(4.90mmx6.00mm,H=Max. 1.65mm）

新產(chǎn)品是羅姆首款面向高耐壓GaN HEMT的隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器IC。在電壓反復(fù)急劇升降的開關(guān)工作中，使用本產(chǎn)品可將器件與控制電路隔離，從而確保信號(hào)的安全傳輸。

新產(chǎn)品通過采用羅姆自主開發(fā)的片上隔離技術(shù)，有效降低寄生電容，實(shí)現(xiàn)高達(dá)2MHz的高頻驅(qū)動(dòng)。通過充分發(fā)揮GaN器件的高速開關(guān)特性，不僅有助于應(yīng)用產(chǎn)品更加節(jié)能和實(shí)現(xiàn)更高性能，還可通過助力外圍元器件的小型化來削減安裝面積。

另外，隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器IC的抗擾度指標(biāo)——共模瞬態(tài)抗擾度（CMTI）達(dá)到150V/ns（納秒），是以往產(chǎn)品的1.5倍，可有效防止GaN HEMT開關(guān)時(shí)令人困擾的高轉(zhuǎn)換速率引發(fā)的誤動(dòng)作，從而有助于系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的控制。最小脈沖寬度較以往產(chǎn)品縮減33%，導(dǎo)通時(shí)間縮短至僅65ns。因此，雖然頻率更高卻仍可確保最小占空比，從而可將損耗控制在更低程度。

GaN器件的柵極驅(qū)動(dòng)電壓范圍為4.5V～6.0V，絕緣耐壓為2500Vrms，新產(chǎn)品可充分激發(fā)出各種高耐壓GaN器件（包括ROHM EcoGaN™系列產(chǎn)品陣容中新增的650V耐壓GaN HEMT“GNP2070TD-Z”）的性能潛力。輸出端的消耗電流僅0.5mA（最大值），達(dá)到業(yè)界超低功耗水平，另外還可有效降低待機(jī)功耗。