株洲中車正加快8英寸碳化硅產(chǎn)線建設(shè)，其中三期8英寸SiC晶圓項(xiàng)目已于2024年11月啟動(dòng)，計(jì)劃2025年5月完成主體廠房封頂，年底前實(shí)現(xiàn)整線貫通。公司現(xiàn)有的6英寸SiC芯片生產(chǎn)線年產(chǎn)2.5萬(wàn)片，已具備成熟產(chǎn)能。

圖片來(lái)源：株洲中車

在MOSFET技術(shù)上，株洲中車已完成第三代精細(xì)平面柵SiC MOSFET的定型開發(fā)，技術(shù)水平已達(dá)到行業(yè)主流。第四代溝槽柵產(chǎn)品已完成設(shè)計(jì)定型，并達(dá)到行業(yè)先進(jìn)水平，性能指標(biāo)基本對(duì)標(biāo)國(guó)際龍頭企業(yè)。此外，公司已前瞻性布局第五代技術(shù)研發(fā)，并透露在超精細(xì)溝槽柵7.5代技術(shù)方面已達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平，展現(xiàn)出強(qiáng)大的持續(xù)創(chuàng)新能力。

公司重點(diǎn)產(chǎn)品涵蓋650V至6500V電壓等級(jí)的SiC MOSFET，以及1200V SBD（肖特基二極管）。其中，1200V SBD已在光伏領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)批量出貨。

在封裝層面，SiC TO封裝器件已在充電樁、車載充電機(jī)（OBC）、電源管理等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)規(guī)模供貨。面向新能源汽車主驅(qū)控制器，公司于2022年底正式發(fā)布了其C-Power 220s平臺(tái)，這是國(guó)內(nèi)首款基于自主碳化硅研制的大功率電驅(qū)產(chǎn)品，系統(tǒng)效率最高可達(dá)94%，目前已進(jìn)入整車廠驗(yàn)證階段，預(yù)計(jì)2025年有望實(shí)現(xiàn)主驅(qū)批量出貨。

株洲中車正在構(gòu)建從襯底、芯片到應(yīng)用平臺(tái)的完整SiC產(chǎn)業(yè)生態(tài)，加速向高壓、高能效電力電子市場(chǎng)滲透。隨著產(chǎn)線升級(jí)、技術(shù)迭代和產(chǎn)品矩陣的完善，株洲中車有望在碳化硅領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)更大突破，推動(dòng)相關(guān)產(chǎn)業(yè)的升級(jí)與發(fā)展。