具備全球領(lǐng)先的順序讀取性能與低功耗特性，專為端側(cè)AI進行優(yōu)化

產(chǎn)品厚度減薄15%，適用于超薄旗艦智能手機

“憑借全球最高321層的產(chǎn)品組合，公司將在NAND閃存領(lǐng)域進一步鞏固‘全方位面向AI的存儲器供應(yīng)商’的地位”

2025年5月22日，SK海力士宣布，公司成功開發(fā)出搭載全球最高321層1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4D NAND閃存的移動端解決方案產(chǎn)品UFS 4.1。

SK海力士表示：

為了在移動設(shè)備上實現(xiàn)端側(cè)（On-device）AI的穩(wěn)定運行，所搭載的NAND閃存解決方案產(chǎn)品必須兼具高性能與低功耗特性。依托這款對AI工作負(fù)載*優(yōu)化的UFS 4.1產(chǎn)品，公司將進一步鞏固其在旗艦智能手機市場中的存儲器技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)地位。

隨著端側(cè)AI的需求持續(xù)增長，終端設(shè)備的計算性能與電池效率之間的平衡日趨關(guān)鍵，超薄設(shè)計和低功耗特性已成為移動設(shè)備的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。

順應(yīng)這一趨勢，公司此次開發(fā)的新品較上一代基于238層NAND閃存的產(chǎn)品能效提升了7%。同時，成功產(chǎn)品厚度從1mm減薄至0.85mm，使其能夠適配超薄智能手機。

此外，該產(chǎn)品支持第四代UFS產(chǎn)品的順序讀取*峰值，數(shù)據(jù)傳輸速率高達4300MB/s。決定移動設(shè)備多任務(wù)處理能力的隨機讀取和寫入*速度，相較上一代產(chǎn)品分別提升了15%與40%，達到現(xiàn)存UFS 4.1產(chǎn)品中全球領(lǐng)先水平。

通過該方式，能夠?qū)崟r提供對端側(cè)AI所需的數(shù)據(jù)，顯著提升應(yīng)用程序的運行效率與響應(yīng)速度，從而有效增強用戶的實際性能體驗。

該產(chǎn)品提供512GB（千兆字節(jié)）和1TB（太字節(jié)）兩種容量規(guī)格。公司計劃于今年內(nèi)向客戶交付樣品以進行驗證流程，并將于明年第一季度正式進入量產(chǎn)階段。

SK海力士開發(fā)總管（CDO, Chief Development Officer）安炫社長表示：

以此次產(chǎn)品的開發(fā)為契機，公司計劃于今年內(nèi)完成基于全球最高321層4D NAND閃存的消費級和數(shù)據(jù)中心級固態(tài)硬盤（SSD）產(chǎn)品的開發(fā)工作。通過這一舉措，公司將在NAND閃存領(lǐng)域構(gòu)建具備AI技術(shù)競爭力的產(chǎn)品組合，從而進一步鞏固公司作為“全方位面向AI的存儲器供應(yīng)商（Full Stack AI Memory Provider）”的地位。

*工作負(fù)載（Workload）：指在特定時間內(nèi)需要處理的任務(wù)類型和數(shù)量，通常涉及大量的數(shù)據(jù)處理或數(shù)據(jù)庫相關(guān)的任務(wù)

*順序讀寫（Sequential Read/Write）：對單個文件的數(shù)據(jù)進行順序讀寫的速度

*隨機讀寫（Random Read/Write）：對多個分散文件的數(shù)據(jù)進行讀寫的速度