電子發(fā)燒友網(wǎng)統(tǒng)計(jì)了北方華創(chuàng)、中微公司、盛美上海、華海清科、拓荊科技、京儀裝備、中科飛測(cè)、芯源微、耐科裝備等九家半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)的2025年Q1財(cái)報(bào)看到，除了拓荊科技、中科飛測(cè)、芯源微，大部分企業(yè)都能實(shí)現(xiàn)營(yíng)收、凈利潤(rùn)的增長(zhǎng)，其中盛美上海、華峰測(cè)控的凈利潤(rùn)分別增長(zhǎng)了207.21%、164.23%，是增長(zhǎng)最為明顯的兩家企業(yè)。

圖：2025年Q1半導(dǎo)體設(shè)備公司業(yè)績(jī)

前三大企業(yè)多款新產(chǎn)品關(guān)鍵技術(shù)突破、工藝覆蓋存儲(chǔ)與邏輯芯片

從營(yíng)收來(lái)看，北方華創(chuàng)、中微公司、盛美上海是此次統(tǒng)計(jì)的企業(yè)中營(yíng)收排名前三的半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)。

北方華創(chuàng)單季度營(yíng)收達(dá)到82.06億元，同比增長(zhǎng)37.9%。增長(zhǎng)的主要原因是電容耦合等離子體刻蝕設(shè)備（CCP）、原子層沉積設(shè)備（ALD）、高端單片清洗機(jī)等多款新產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵技術(shù)突破，工藝覆蓋度顯著增長(zhǎng)，同時(shí)多款成熟產(chǎn)品市場(chǎng)占有率穩(wěn)步提升。

隨著營(yíng)收規(guī)模和訂單的持續(xù)擴(kuò)大，規(guī)模效應(yīng)逐漸顯現(xiàn)，其凈利潤(rùn)也實(shí)現(xiàn)同比增長(zhǎng)38.8%，達(dá)到15.81億元。北方華創(chuàng)預(yù)計(jì)公司凈利潤(rùn)率有一定的上行空間。

北方華創(chuàng)的集成電路設(shè)備包括刻蝕、薄膜沉積、爐管、清洗等多種工藝設(shè)備，可以滿足邏輯、存儲(chǔ)等不同領(lǐng)域客戶多種技術(shù)的需求。在投資者關(guān)系活動(dòng)中，北方華創(chuàng)董事會(huì)秘書(shū)、副總裁王曉寧表示，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)產(chǎn)線擴(kuò)產(chǎn)會(huì)帶動(dòng)公司訂單較快增長(zhǎng)。公司新建的半導(dǎo)體裝備臺(tái)馬基地已建成投入使用，可以匹配產(chǎn)能增長(zhǎng)的需求。

中微公司第一季度營(yíng)業(yè)收入繼續(xù)保持高速增長(zhǎng)，同比增長(zhǎng)35.40%，達(dá)到21.73 億元。中微公司針對(duì)先進(jìn)邏輯和存儲(chǔ)器件制造中關(guān)鍵刻蝕工藝的高端產(chǎn)品新增付運(yùn)量顯著提升，先進(jìn)邏輯器件中段關(guān)鍵刻蝕工藝和先進(jìn)存儲(chǔ)器件超高深寬比刻蝕工藝實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。公司為先進(jìn)存儲(chǔ)器件和邏輯器件開(kāi)發(fā)的六種薄膜設(shè)備已經(jīng)順利進(jìn)入市場(chǎng)。

盛美上海在第一季度實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入13.06億元，同比增長(zhǎng)41.73%，凈利潤(rùn)2.46億，同比增長(zhǎng)207.21%。盛美上海表示這主要是因?yàn)楣�司憑借技術(shù)差異化優(yōu)勢(shì)，成功把握市場(chǎng)機(jī)遇，積累了充足訂單儲(chǔ)備;本期公司銷(xiāo)售交貨及調(diào)試驗(yàn)收工作高效推進(jìn)。同時(shí)產(chǎn)品系列日趨完善，滿足了客戶的多樣化需求。

盛美上海主要提供半導(dǎo)體清洗設(shè)備、半導(dǎo)體電鍍?cè)O(shè)備、立式爐管系列設(shè)備、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PECVD 設(shè)備、后道先進(jìn)封裝設(shè)備以及硅材料襯底制造工藝設(shè)備等。其中，公司的爐管設(shè)備產(chǎn)品正逐步進(jìn)入更多內(nèi)存和邏輯芯片客戶的生產(chǎn)線中。

2024年8月，盛美上海推出新型面板級(jí)電鍍?cè)O(shè)備Ultra ECP ap-p，采用盛美上海自主研發(fā)的水平式電鍍，確保面板具有良好的均勻性和精度。盛美上海是首個(gè)將水平式電鍍應(yīng)用到面板的廠商之一，憑借上述技術(shù)，公司能夠在面板中實(shí)現(xiàn)亞微米級(jí)先進(jìn)封裝。當(dāng)前已多家主要半導(dǎo)體領(lǐng)先企業(yè)選擇面板作為其AI芯片封裝的解決方案，盛美上海的新型面板級(jí)電鍍?cè)O(shè)備Ultra ECP ap-p將在市場(chǎng)中迎來(lái)機(jī)會(huì)。

國(guó)產(chǎn)設(shè)備商技術(shù)突圍背后的代價(jià)：投入占比集體飆升

從凈利潤(rùn)來(lái)看，在此次統(tǒng)計(jì)的企業(yè)中，中科飛測(cè)、芯源微、拓荊科技出現(xiàn)凈利潤(rùn)下滑。相較中科飛測(cè)和芯源微的凈利潤(rùn)下降幅度，拓荊科技在第一季度的凈利潤(rùn)出現(xiàn)1503.33%的同比下滑，虧損1.47億，出現(xiàn)“爆雷”，毛利率下降至19.89%。

拓荊科技在第一季度業(yè)績(jī)財(cái)報(bào)中沒(méi)有過(guò)多的解釋，只提到該季度新產(chǎn)品、新工藝的設(shè)備銷(xiāo)售收入占比近70%，其在客戶驗(yàn)證過(guò)程成本較高，毛利率同比下降。此外，凈利潤(rùn)的下滑與其高研發(fā)投入也有關(guān)系，該季度公司研發(fā)投入1.59億元，占營(yíng)業(yè)收入的比例為22.38%。

但拓荊科技的營(yíng)收達(dá)到7.09億元，同比增長(zhǎng)達(dá)到50.22%，是除了京儀裝備，營(yíng)收增長(zhǎng)最為明顯的企業(yè)，營(yíng)收增長(zhǎng)可觀。若是接下來(lái)能夠?qū)崿F(xiàn)回正，凈利潤(rùn)也將隨之邁向新臺(tái)階。

中科飛測(cè)該季度的營(yíng)業(yè)收入為2.94億元，同比增長(zhǎng)24.89%，凈利潤(rùn)同比下滑了143.69%，系研發(fā)費(fèi)用大幅提升，研發(fā)投入1.2億元， 同比增長(zhǎng)64%，研發(fā)投入占營(yíng)業(yè)收入的比例為40.91%，較上年同期增加9.75個(gè)百分點(diǎn)。

芯源微是國(guó)內(nèi)涂膠顯影設(shè)備、單片式濕法設(shè)備龍頭，該季度實(shí)現(xiàn)歸母利潤(rùn)466萬(wàn)，同比下降70%；公司表示，“但總體來(lái)看，公司每年一季度營(yíng)收端都是淡季，對(duì)全年的指標(biāo)性意義不是很強(qiáng)。公司一季度新簽訂單情況良好。”該季度芯源微的研發(fā)投入增加4.58個(gè) 百分點(diǎn)。

半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)是典型的技術(shù)密集型和資本密集型高研發(fā)投入行業(yè)，使得企業(yè)在持續(xù)進(jìn)行技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品升級(jí)的過(guò)程中，面臨著巨大的資金壓力。例如除了上述三家公司，中微公司在該季度的研發(fā)投入也隨著市場(chǎng)需求的增加顯著提升，研發(fā)投入約6.87億元，較上年同期增加3.26億元，同比增長(zhǎng)約90.53%。耐科裝備的研發(fā)投入同比增加了57.16%。華海清科也正投入大量資金用于新產(chǎn)品研發(fā)以及產(chǎn)能擴(kuò)張，以進(jìn)一步提升公司的經(jīng)營(yíng)規(guī)模和產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力，華海清科布局的離子注入項(xiàng)目也在陸續(xù)推廣。

但在另一方面，這些研發(fā)投入都為盛美上海、芯源微、拓荊科技等企業(yè)帶來(lái)了市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

在應(yīng)用領(lǐng)域中，中科飛測(cè)前道制程尤其是先進(jìn)制程產(chǎn)品占比相對(duì)較高，推動(dòng)了一季度的毛利率上升。同時(shí)，新增訂單方面，在HBM等新興的先進(jìn)封裝領(lǐng)域獲得了積極的市場(chǎng)反饋。從產(chǎn)品結(jié)構(gòu)來(lái)看，暗場(chǎng)納米圖形晶圓缺陷檢測(cè)設(shè)備成為新增訂單占比最大的設(shè)備系列之一，預(yù)計(jì)未來(lái)將成為重要的增長(zhǎng)點(diǎn)。從制程工藝來(lái)看，先進(jìn)制程的收入和訂單占比快速提升，已超過(guò)50%，成為公司增長(zhǎng)的主要來(lái)源。

今年4月，中科飛測(cè)宣布公司的先進(jìn)制程明場(chǎng)納米圖形晶圓缺陷檢測(cè)設(shè)備REDWOOD-900再次出貨頭部客戶。產(chǎn)品采用高數(shù)值孔徑物鏡（NA≥0.95）和高速圖像采集系統(tǒng)，檢測(cè)精度達(dá) 10nm 級(jí)，可適配 FinFET、GAA 等先進(jìn)晶體管結(jié)構(gòu)及 3D NAND 堆疊層檢測(cè)，在國(guó)內(nèi)先進(jìn)制程高端檢測(cè)設(shè)備領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了從0到1的突破，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)市場(chǎng)的空白。

第三代半導(dǎo)體已成為全球科技競(jìng)爭(zhēng)的戰(zhàn)略高地，其關(guān)鍵設(shè)備包括MOCVD、高溫退火爐等，當(dāng)前國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商同樣在加大研發(fā)投入布局該領(lǐng)域。

北方華創(chuàng)在SiC領(lǐng)域主要提供的產(chǎn)品包括SiC長(zhǎng)晶爐、外延生長(zhǎng)設(shè)備、刻蝕設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備、高溫激活/氧化/合金、清洗設(shè)備等，長(zhǎng)期以來(lái)國(guó)內(nèi)市占率一直保持領(lǐng)先地位。其中，SiC長(zhǎng)晶爐國(guó)產(chǎn)化率小于20%，北方華創(chuàng)市占率約為15%。此外，北方華創(chuàng)還在8英寸SiC襯底上實(shí)現(xiàn)了無(wú)缺陷的超結(jié)器件高縱深比溝槽刻蝕（>5:1），以及溝槽柵SiC MOSFET器件的圓角溝槽刻蝕。