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1200V、12英寸晶圓,2家GaN廠商推出新品

已有964次閱讀2024-07-30標(biāo)簽:

 氮化鎵(GaN)器件因其高效率、高功率密度、高開關(guān)頻率和優(yōu)秀的導(dǎo)熱能力,正在被越來越多的汽車廠商和半導(dǎo)體廠商看好。近日,國內(nèi)2家GaN廠商分別推出了新品,GaN上車進(jìn)度再刷新。

宇騰科技推出1200V GaN功率器件據(jù)陜西宇騰電子科技有限公司(以下簡稱“宇騰科技”)官微消息,公司日前自主研發(fā)生產(chǎn)的藍(lán)寶石基氮化鎵功率器件(GaN-on-Sapphire HEMT),工作電壓(Vds)可達(dá)1200V,已進(jìn)入量產(chǎn)階段并通過可靠性測試。

 

source:宇騰科技

宇騰科技介紹,公司旗下藍(lán)寶石基氮化鎵功率器件工作電壓可達(dá)到1200V,目前已量產(chǎn)四種型號,規(guī)格分別為:150mΩ/12A、100mΩ/15A、75mΩ/22A、50mΩ/30A。此外,公司的1200V藍(lán)寶石基氮化鎵系列產(chǎn)品中,25mΩ/60A規(guī)格產(chǎn)品正在開發(fā)測試中,預(yù)計(jì)2024年Q4實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

資料顯示,宇騰電子致力于第三代半導(dǎo)體GaN外延片、光通訊厚氧化層外延硅片設(shè)計(jì)生產(chǎn)。公司擁有完整的GaN外延片生產(chǎn)線,是我國目前西部地區(qū)唯一一家GaN外延片生產(chǎn)企業(yè)。
云鎵半導(dǎo)體推出世界首款12英寸650V/12 mR晶圓近日,云鎵半導(dǎo)體推出了一款產(chǎn)品——650V/12mR 超大電流芯片,并表示這是全球首款12英寸的GaN晶圓。

 

12-inch 與 6-inch 氮化鎵晶圓對比圖(source:云鎵半導(dǎo)體)云鎵半導(dǎo)體指出,該芯片實(shí)現(xiàn)了12mR超低導(dǎo)通電阻,測試良率>90%。該產(chǎn)品具備2P1M結(jié)構(gòu),焊盤表面成分為CuNiAu,最小尺寸為1000um,支持Al線焊接。非焊盤區(qū)域增加了一層PI防護(hù),保障了高壓異名端間的耐壓間距。

據(jù)悉,云鎵半導(dǎo)體是一家專業(yè)從事GaN功率器件及解決方案的設(shè)計(jì)公司,現(xiàn)有上海、杭州、深圳三個(gè)研發(fā)及辦事機(jī)構(gòu)。目前,公司已推出多款GaN功率器件及IC類產(chǎn)品,應(yīng)用場景可覆蓋中小功率與大功率電源領(lǐng)域。

云鎵半導(dǎo)體表示,未來公司將就GaN在電動汽車的主驅(qū)應(yīng)用加大研究,基于12inch+12mR的基礎(chǔ)技術(shù),逐步解決短路耐量問題(目標(biāo): 12us),并拓寬GaN的額定電壓以適配 800V 高端車型(目標(biāo): 1200V)。

 

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