集成SiC MOSFET，支持1700V耐壓

無論是在工業(yè)還是汽車領(lǐng)域，高壓系統(tǒng)正在變得越來越普遍，為了適配工業(yè)和汽車平臺(tái)高壓化的趨勢(shì)，NSI7258以背靠背的形式集成了2顆納芯微參與研發(fā)的SiC MOSFET，每顆支持高達(dá)1700V的耐壓；在1分鐘的標(biāo)準(zhǔn)雪崩測(cè)試中，NSI7258可耐受2100V的雪崩電壓和1mA的雪崩電流，實(shí)現(xiàn)業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的耐壓和抗雪崩能力。于此同時(shí)，在1000V高壓，125℃高溫的測(cè)試條件下，NSI7258的漏電流可以控制在1μA以內(nèi)，極大提高了BMS系統(tǒng)中電池包的絕緣阻抗和檢測(cè)精度，有助于實(shí)現(xiàn)更安全的人機(jī)交互。

滿足各類安規(guī)要求，降低系統(tǒng)驗(yàn)證時(shí)間

高壓化應(yīng)用的普及需滿足各類嚴(yán)苛的安規(guī)要求。通過納芯微自有的專利技術(shù)，NSI7258可在SOW12封裝下實(shí)現(xiàn)業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的5.91mm副邊爬電距離，同時(shí)原邊副邊爬電距離也達(dá)到8mm，滿足國(guó)際電工委員會(huì)制定的IEC60649要求。此外，憑借納芯微卓越的電容隔離技術(shù)，NSI7258的隔離耐壓能力高達(dá)5kVrms，全面滿足UL、CQC和VDE相關(guān)認(rèn)證，可降低客戶系統(tǒng)驗(yàn)證時(shí)間，加速產(chǎn)品上市。

EMI顯著優(yōu)化，加速光耦繼電器替換

傳統(tǒng)的光耦繼電器方案存在光衰問題，其性能會(huì)隨著時(shí)間的推移而退化，但光耦繼電器的優(yōu)勢(shì)是無電磁干擾問題，這也是限制高壓系統(tǒng)中光耦替代的重要因素之一。納芯微NSI7258通過巧妙的設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)卓越的EMI表現(xiàn)，在單板無磁珠的條件下即可輕松通過CISPR25 Class 5測(cè)試，并且在全頻段測(cè)試中均留有充足裕量。NSI7258基于全半導(dǎo)體工藝進(jìn)行生產(chǎn)，在長(zhǎng)期使用中具有更高的可靠性。卓越的EMI表現(xiàn)和更高的可靠性支持客戶在系統(tǒng)中同時(shí)采用多顆器件而不受影響，顯著降低了設(shè)計(jì)難度，助力客戶在系統(tǒng)設(shè)計(jì)中加速光耦替換。

封裝和選型

NSI7258提供SOW12封裝，兼容市場(chǎng)主流的光耦繼電器。工規(guī)版本的NSI7258將于近期量產(chǎn)，車規(guī)版本的NSI7258-Q1滿足AEC-Q100，Grade 1要求，支持-40°C~125°C的寬工作溫度范圍，將于2024年7月量產(chǎn)。