3月19日，英飛凌科技股份公司推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiC™ MOSFET 2000V。這款產(chǎn)品不僅能夠滿足設(shè)計(jì)人員對(duì)更高功率密度的需求，而且即使面對(duì)嚴(yán)格的高電壓和開關(guān)頻率要求，也不會(huì)降低系統(tǒng)可靠性。
CoolSiC™ MOSFET具有更高的直流母線電壓，可在不增加電流的情況下提高功率。作為市面上第一款擊穿電壓達(dá)到2000V的碳化硅分立器件，CoolSiC™ MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，爬電距離為14mm，電氣間隙為5.4mm。該半導(dǎo)體器件得益于其較低的開關(guān)損耗，適用于太陽能（如組串逆變器）以及儲(chǔ)能系統(tǒng)和電動(dòng)汽車充電應(yīng)用。
CoolSiC™ MOSFET 2000V產(chǎn)品系列適用于最高1500 VDC的高直流電壓母線系統(tǒng)。與1700V SiC MOSFET相比，這些器件還能為1500 VDC系統(tǒng)的過壓提供更高的裕量。CoolSiC™ MOSFET的基準(zhǔn)柵極閾值電壓為4.5V，并且配備了堅(jiān)固的體二極管來實(shí)現(xiàn)硬換向。憑借.XT連接技術(shù)，這些器件可提供一流的散熱性能，以及高防潮性。
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