硅射頻高功率MOSFET（RD06LUS2）
 

三菱電機集團近日（2024年2月27日）宣布，將于2月28日開始提供其新型6.5W硅射頻（RF）高功率金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）樣品，用于商用手持式雙向無線電（對講機）的射頻高功率放大器。該型號采用3.6V單節(jié)鋰離子電池，可實現(xiàn)業(yè)界先端的6.5W輸出功率，有望擴大商用無線電設(shè)備的通信范圍并降低功耗。

隨著3.6V鋰離子電池在智能手機中的日益普及，商業(yè)無線電行業(yè)也期望以比傳統(tǒng)7.2V電池更低的成本開發(fā)出更高功率的產(chǎn)品。但到目前為止，3.6V電池的使用導致商用無線電放大器的輸出功率降低，因此在與智能手機相比需要更高輸出的商用無線電放大器市場中，一直在等待能夠提高3.6V電池輸出功率的MOSFET。

為此，三菱電機現(xiàn)已開發(fā)出一種高功率硅MOSFET（RD06LUS2），可為工作電壓為3.6V的商用無線電提供無與倫比的功率輸出和高漏極效率*1。此外，內(nèi)置兩個MOSFET芯片的封裝可以節(jié)省商用無線電印刷電路板上的空間，有助于降低組裝成本。

產(chǎn) 品 特 點

行業(yè)先端的6.5W輸出功率，有助于擴展無線電通信范圍

通過針對3.6V工作電壓優(yōu)化的結(jié)構(gòu)降低導通電阻，提高了功率密度。

內(nèi)置兩個MOSFET芯片的封裝為3.6V無線電實現(xiàn)了無與倫比的6.5W輸出功率。

與現(xiàn)有型號*2相比，輸出功率的增加將通信范圍擴大了27%。

行業(yè)先端的65%漏極效率，實現(xiàn)低功耗

針對3.6V工作電壓的優(yōu)化，實現(xiàn)65%漏極效率。

漏極效率的提高可降低無線電功耗，從而延長運行時間。

雙MOSFET封裝，可節(jié)省空間并降低組裝成本

與兩個單芯片產(chǎn)品相比，帶有兩個MOSFET芯片的新型封裝可減少33%的空間。

兼容表面貼裝技術(shù)（SMT），可降低封裝組裝成本。

主要規(guī)格

未來發(fā)展

新款RD06LUS2 MOSFET將于2024年7月發(fā)售。同時，配套的MOSFET驅(qū)動器(RD00LUS2)將于2024年3月開始提供樣品，預(yù)定于2024年8月發(fā)售。此外，為了提供支持，將于2024年5月推出配備RD06LUS2 MOSFET和RD00LUS2驅(qū)動器的兩級評估板以及非線性仿真模型。

環(huán)保意識

本產(chǎn)品符合RoHS*3指令2011/65/EU和（EU）2015/863。

*1：從電池電源到射頻功率輸出的轉(zhuǎn)換效率

*2：三菱電機現(xiàn)有的4W 射頻高功率MOSFET（RD04LUS2）

*3：Restriction of the Use of Certain Hazardous Substances in Electrical and Electronic Equipment