AONA66916采用全新頂部開窗式DFN5x6封裝，可實(shí)現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的散熱性能，提供可靠性更高的設(shè)計(jì)。
 

日前，集設(shè)計(jì)研發(fā)、生產(chǎn)和全球銷售一體的著名功率半導(dǎo)體及芯片供應(yīng)商Alpha and Omega Semiconductor Limited （AOS, 納斯達(dá)克代碼:AOSL) Alpha and Omega Semiconductor Limited (AOS)（納斯達(dá)克代碼：AOSL）發(fā)布了一款 100V MOSFET——AONA66916，該器件采用AOS創(chuàng)新型雙面散熱DFN 5 x 6 封裝。客戶系統(tǒng)研發(fā)人員一直以來把 AOS 產(chǎn)品作為其方案設(shè)計(jì)的重要組件之一，幫助客戶實(shí)現(xiàn)各種高性能應(yīng)用要求。現(xiàn)如今，AOS產(chǎn)品進(jìn)一步創(chuàng)新，提供最先進(jìn)的封裝以保持其器件實(shí)現(xiàn)最佳的散熱性能，使工程師能夠在長期處于惡劣條件下運(yùn)行的電信系統(tǒng)和工業(yè)應(yīng)用中開發(fā)更高效的方案設(shè)計(jì)。
 

通常來說，標(biāo)準(zhǔn) DFN 5x6 封裝主要是依靠底部焊盤進(jìn)行散熱，器件產(chǎn)生的大部分熱量都將轉(zhuǎn)移到 PCB上。為滿足系統(tǒng)要求，增加了PCB 熱管理設(shè)計(jì)的難度。AOS雙面散熱型 DFN 5x6 封裝由于其較大的表面接觸面積結(jié)構(gòu)，可以實(shí)現(xiàn)外露的頂部窗口和散熱器之間的最高熱傳遞。這使得器件能夠?qū)崿F(xiàn) 0.5°C/W 的低熱阻（Rthc-top max），從而顯著提高熱性能。AONA66916 的頂部開窗式 DFN 5x6 封裝與 AOS 標(biāo)準(zhǔn)的 DFN 5x6具有相同的封裝和尺寸（5mm x 6mm），無需修改現(xiàn)有 PCB 布局，以最小的評估工作量提高功率密度。

值得一提的是，AONA66916利用AOS 100V AlphaSGT™ 技術(shù)，其優(yōu)越的品質(zhì)因數(shù)（FOM）完美適配硬開關(guān)的應(yīng)用。AONA66916 RDS(on) 最大值為 3.4mOhms，支持最大結(jié)溫 175°C。
 

“在高功率電源設(shè)計(jì)中，MOSFET的散熱性能具有一定的挑戰(zhàn)性，AOS 通過其先進(jìn)的頂部開窗封裝設(shè)計(jì)成功解決了這一基本問題。由于頂部開窗的面積相對較大，這不僅實(shí)現(xiàn)了MOSFET從頂部窗口到散熱器之間更好的熱傳遞。而且MOSFET較低的溫度，也有助于實(shí)現(xiàn)更高效、更穩(wěn)健的設(shè)計(jì)方案”

—— Peter Wilson

AOS MOSFET 產(chǎn)品線資深市場總監(jiān)

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