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新品 | 1200V CoolSiC™ MOSFET 半橋和三相橋Easy模塊

已有2483次閱讀2024-01-03標(biāo)簽:
 

 

EasyDUAL™ 1B和EasyPACK™ 1B采用CoolSiC™ MOSFET增強(qiáng)型1代，適用于1200V應(yīng)用。這些模塊采用PressFIT壓接技術(shù)并帶NTC溫度檢測(cè)。它們還提供預(yù)涂熱界面材料和AlN/Al2O3基板等不同型號(hào)。

 

相關(guān)器件：

▪️ FS33MR12W1M1H_B11 

  33mΩ 1200V 三相橋

▪️ FS33MR12W1M1H_B70

  33mΩ 1200V 三相橋低熱阻版本

▪️ FS28MR12W1M1H_B11

  28mΩ 1200V 三相橋

▪️ FF55MR12W1M1H_B11

  55mΩ 1200V 半橋

▪️ FF55MR12W1M1H_B70

  33mΩ 1200V 半橋低熱阻版本

 

 

產(chǎn)品特點(diǎn)

1200V CoolSiC™ MOSFET

Easy1B封裝

非常低的模塊寄生電感

RBSOA反向工作安全區(qū)寬

柵極驅(qū)動(dòng)電壓窗口大

PressFIT引腳

 

應(yīng)用價(jià)值

擴(kuò)展了柵源電壓最大值：+23V和-10V

在過(guò)載條件下，Tvjop最高可達(dá)175°C

最佳的性價(jià)比，可降低系統(tǒng)成本

可工作在高開(kāi)關(guān)頻率，并改善對(duì)冷卻要求

 

競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)

擴(kuò)展現(xiàn)有產(chǎn)品系列

半橋模塊和三相橋模塊

帶或不帶預(yù)涂導(dǎo)熱材料TIM模塊版本

提供標(biāo)準(zhǔn)DCB和高性能DCB

 

應(yīng)用領(lǐng)域

電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)

伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制

電動(dòng)汽車充電

 

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