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英諾賽科再推兩款GaN器件,在工業(yè)市場(chǎng)挖掘新藍(lán)海!

已有7009次閱讀2023-07-20標(biāo)簽:
 

近期,為了推進(jìn)GaN在高頻市場(chǎng)的應(yīng)用,英諾賽科基于150V電壓平臺(tái)推出了 INN150FQ032A 和 INN150FQ070A 兩款中低壓 GaN。

 

其中 INN150FQ032A 采用 FCQFN 4mmx6mm 封裝,體積小巧,且開關(guān)損耗低,具有良好的效率表現(xiàn),目前已成功量產(chǎn)。INN150FQ070A,采用  FCQFN 4mmX6mm Pin to pin 兼容引腳設(shè)計(jì),已通過(guò)小批量試產(chǎn)。
 

 

Source:英諾賽科

 

這兩款產(chǎn)品能夠滿足工業(yè)級(jí)可靠性要求,主要應(yīng)用于太陽(yáng)能系統(tǒng)優(yōu)化器和微型逆變器,PD充電器與PSU同步整流、通信電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器等。

從業(yè)績(jī)上來(lái)看,今年第一季度,英諾賽科的GaN芯片出貨量突破了5000萬(wàn)顆,銷售額達(dá)1.5億,是去年同期的4倍。同時(shí),依靠8英寸硅基GaN IDM全產(chǎn)業(yè)鏈的優(yōu)勢(shì),英諾賽科40V/100V/150V低壓平臺(tái)也實(shí)現(xiàn)全面升級(jí), 40V雙向?qū)óa(chǎn)品、100V半橋驅(qū)動(dòng)合封產(chǎn)品等多系列產(chǎn)品相繼發(fā)布。


GaN尋找新藍(lán)海


當(dāng)前,消費(fèi)電子是GaN應(yīng)用的主要驅(qū)動(dòng)力,尤其是在手機(jī)快充領(lǐng)域。但在過(guò)去幾年,基于GaN的手機(jī)快充滲透率持續(xù)提升,且手機(jī)充電器屬于低頻消費(fèi)品,更換周期長(zhǎng),當(dāng)前智能手機(jī)出貨量又總體萎靡,加之有眾多企業(yè)涌入手機(jī)快充領(lǐng)域,導(dǎo)致該領(lǐng)域已經(jīng)進(jìn)入紅海市場(chǎng)。所以,對(duì)于GaN企業(yè)來(lái)說(shuō),擴(kuò)展全新的版圖顯得尤為重要。而to B市場(chǎng)則比較有增長(zhǎng)潛力。尤其是在新能源領(lǐng)域。

 

除了此次英諾賽科的GaN產(chǎn)品被用于微型逆變器之外,去年年末,浙江貝尼電氣官網(wǎng)對(duì)外展示了他們的2800W四路微型逆變器,并聲稱是全球首款成熟的應(yīng)用GaN技術(shù)的微型逆變器。

 

此外,去年的德國(guó)慕尼黑電子展期間,無(wú)晶圓半導(dǎo)體公司Cambridge GaN Devices (CGD)與荷蘭Neways國(guó)際電子公司簽署了合作協(xié)議,擬共同開發(fā)高效GaN光伏太陽(yáng)能逆變器產(chǎn)品。總體來(lái)看,目前已經(jīng)有廠商開始將GaN器件應(yīng)用于微型逆變器產(chǎn)品中。

 

光伏之外,GaN上車也成為當(dāng)前的熱門。作為一種高電子遷移率晶體管(HEMT),GaN FET優(yōu)異的材料和器件特性使其成為汽車電源系統(tǒng)和射頻器件中,更先進(jìn)應(yīng)用的理想選擇。

 

此外,EV的電力系統(tǒng)常常在高開關(guān)頻率、高輸出電流和高電壓下運(yùn)行,GaN所具備的出色的高頻特性可以被用在電動(dòng)汽車的牽引逆變器、車載充電機(jī)(OBC)、DC/DC轉(zhuǎn)換器、激光雷達(dá)上的電源模塊、汽車座艙內(nèi)的無(wú)線充電等場(chǎng)景中。據(jù)悉,歐盟已在2021年啟動(dòng)項(xiàng)目,目標(biāo)是將GaN的電壓提升到1200V,并將晶圓尺寸從6吋增大到12吋。

 

目前,英諾賽科GaN已經(jīng)用于車載激光雷達(dá)產(chǎn)品上,且實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn)。今年年初,GaN Systems在應(yīng)用電力電子會(huì)議 (APEC 2023) 上發(fā)表了最新 11kW/800V GaN車載充電器 (On-Board Charger) 參考設(shè)計(jì),與采用SiC晶體管產(chǎn)品相比,提高 36% 功率密度,降低至少 15% 整體物料清單 (BOM) 成本。

此外,2021年寶馬與GaN Systems合作,就寶馬高性能車載標(biāo)準(zhǔn)氮化鎵功率半導(dǎo)體簽訂了全面的產(chǎn)能協(xié)議,合作金額達(dá)1億美元。

 

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