近日，納微半導(dǎo)體宣布發(fā)布全新GaNSense™ Control合封氮化鎵功率芯片，帶來(lái)前所未有的高集成度和性能表現(xiàn)。
氮化鎵是相比傳統(tǒng)高壓 (HV) 硅 (Si) 功率半導(dǎo)體有著重大升級(jí)的下一代半導(dǎo)體技術(shù)，同時(shí)還減少了提供相同性能所需的能源和物理空間。采用了氮化鎵的充電器，能在尺寸和重量減半的前提下，實(shí)現(xiàn)高達(dá)3倍的功率處理能力或快3倍的充電能力。在電源系統(tǒng)中，一個(gè)優(yōu)化的高頻低壓 (LV) 硅系統(tǒng)控制器必不可少。納微不僅開(kāi)發(fā)了這樣的控制器還將其與其高性能的氮化鎵芯片集成在一起，推出了業(yè)界首創(chuàng)的GaNSense™ Control合封氮化鎵功率芯片技術(shù)。
初代GaNSense™ Control 合封氮化鎵功率芯片系列具有高頻準(zhǔn)諧振 (HFQR) 反激，支持 QR、DCM、CCM 和多頻率、混合模式運(yùn)行，頻率高達(dá) 225 kHz。從單個(gè)采用表面貼片的QFN 封裝（NV695x 系列）到以芯片組 (NV9510x + NV61xx)，可最大化電路設(shè)計(jì)的靈活性。在副邊，與傳統(tǒng)整流器相比，集成了同步整流器 (SR)的氮化鎵功率芯片(NV97xx) ，可在任何負(fù)載條件下實(shí)現(xiàn)最大效率。
GaNSense™ Control合封芯片集成了無(wú)損電流檢測(cè)、高壓?jiǎn)?dòng)、抖頻、低待機(jī)功率、寬Vdd輸入電壓的特性，能在元件更少，無(wú)電流采樣電阻熱點(diǎn)的前提下，帶來(lái)小巧、高效、溫控更優(yōu)的系統(tǒng)。此外，一系列的集成保護(hù)功能包括800V瞬態(tài)電壓擊穿、2kV ESD及智能的過(guò)壓、過(guò)流、過(guò)溫保護(hù)帶來(lái)了更穩(wěn)固的功率芯片和可靠的電源系統(tǒng)。
Source：納微半導(dǎo)體
GaNSense™ Control合封氮化鎵功率芯片將率先覆蓋20-150W的智能手機(jī)、平板電腦和筆記本電腦充電器，消費(fèi)電子和家用電器、銷售終端機(jī)、大功率數(shù)據(jù)中心和400V電動(dòng)汽車系統(tǒng)中的輔助電源。目前，發(fā)貨量已經(jīng)超過(guò)100萬(wàn)片。
納微半導(dǎo)體聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席技術(shù)官、首席運(yùn)營(yíng)官Dan Kinzer表示：“我們將高頻、模擬和混合信號(hào)的硅控制器，戰(zhàn)略性地加入到與現(xiàn)有的氮化鎵、碳化硅和數(shù)字隔離技術(shù)平臺(tái)中去，為更優(yōu)的電源系統(tǒng)奠定了設(shè)計(jì)基礎(chǔ)，增加了每年10億美元的市場(chǎng)機(jī)遇。我們先為GaNSense™ Control合封氮化鎵功率芯片錨定了移動(dòng)快充、家用電器以及數(shù)據(jù)中心輔助電源的市場(chǎng)方向。未來(lái)，我們將擴(kuò)大版圖至更高功率的清潔能源、儲(chǔ)能和電動(dòng)汽車領(lǐng)域。納微半導(dǎo)體在這些市場(chǎng)中具備獨(dú)有的優(yōu)勢(shì)——憑借先進(jìn)的系統(tǒng)設(shè)計(jì)中心，影響客戶的系統(tǒng)架構(gòu)選擇。由此，無(wú)論在下一代功率半導(dǎo)體中選擇氮化鎵還是碳化硅，我們都將具備最大化系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)。”
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