英飛凌科技推出新型HYPERRAM™ 3.0器件，進(jìn)一步完善其高帶寬、低引腳數(shù)存儲器解決方案。該器件具有全新的16位擴(kuò)展HyperBus™接口，可將吞吐量翻倍提升至800MBps。在推出HYPERRAM™ 3.0器件后，英飛凌可提供完善的低引腳數(shù)、低功耗的高帶寬存儲器產(chǎn)品組合。該芯片非常適用于需要擴(kuò)展RAM存儲器的應(yīng)用，包括視頻緩沖、工廠自動化、人工智能物聯(lián)網(wǎng)（AIoT）和汽車車聯(lián)網(wǎng)（V2X），以及需要便箋式存儲器進(jìn)行數(shù)據(jù)密集型計(jì)算的應(yīng)用。
新型HYPERRAM™ 3.0存儲芯片
英飛凌科技汽車電子事業(yè)部高級營銷和應(yīng)用總監(jiān)Ramesh Chettuvetty表示：“英飛凌在存儲器解決方案領(lǐng)域擁有近三十年的深厚專業(yè)積淀，我們十分高興為市場帶來又一款行業(yè)首創(chuàng)產(chǎn)品。全新HYPERRAM™ 3.0存儲器解決方案每個(gè)引腳的數(shù)據(jù)吞吐量遠(yuǎn)高于PSRAM、SDR DRAM等市面上現(xiàn)有的技術(shù)。其低功耗特性能夠在不犧牲吞吐量的情況下實(shí)現(xiàn)更低的功耗，因此這款存儲器是工業(yè)和物聯(lián)網(wǎng)解決方案的理想選擇。”
英飛凌HYPERRAM™是一款基于PSRAM的獨(dú)立易失性存儲器，它可提供一種經(jīng)濟(jì)實(shí)用的添加方式來擴(kuò)展存儲器。其數(shù)據(jù)速率與SDR DRAM相當(dāng)，但所用的引腳數(shù)更少，功耗更低。HyperBus™接口每個(gè)引腳的數(shù)據(jù)吞吐量更高，從而可以使用引腳數(shù)較少的微控制器（MCU）和層數(shù)較少的PCB，為目標(biāo)應(yīng)用提供復(fù)雜性更低以及成本更優(yōu)化的的設(shè)計(jì)方案。
關(guān)于HYPERRAM™
英飛凌在2017年推出了第一代支持HyperBus™接口的HYPERRAM™器件。第二代HYPERRAM™器件于2021年推出，同時(shí)支持OctalxSPI和HyperBus™ JEDEC兼容接口，最高數(shù)據(jù)速率可達(dá)到400 MBps。第三代HYPERRAM™器件支持新的擴(kuò)展HyperBus™接口，實(shí)現(xiàn)了800 MBps的數(shù)據(jù)速率。HYPERRAM™器件的密度范圍為64 Mb至512 Mb，經(jīng)AEC-Q100認(rèn)證并可支持最高125℃工業(yè)和汽車溫度等級。
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