－該系列產(chǎn)品包含1200V和650V兩種規(guī)格－
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅（SiC）MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導(dǎo)通電阻，可顯著降低開關(guān)損耗。該系列10款產(chǎn)品包括5款1200V產(chǎn)品和5款650V產(chǎn)品，現(xiàn)已開始出貨。
新產(chǎn)品的單位面積導(dǎo)通電阻（RDS(ON)A）下降了大約43%[3]，從而使“漏源導(dǎo)通電阻×柵漏電荷（RDS(ON)×Qgd）”降低了大約80%[4]，這是體現(xiàn)導(dǎo)通損耗與開關(guān)損耗間關(guān)系的重要指標。這樣可以將開關(guān)損耗減少大約20%[5]，同時降低導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗。因此，新產(chǎn)品有助于提高設(shè)備效率。
東芝將進一步壯大其功率器件產(chǎn)品線，強化生產(chǎn)設(shè)施，并通過提供易于使用的高性能功率器件，努力實現(xiàn)碳中和經(jīng)濟。
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開關(guān)電源（服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心、通信設(shè)備等）
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電動汽車充電站
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光伏變頻器
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不間斷電源（UPS）
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單位面積導(dǎo)通電阻低（RDS(ON)A）
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低漏源導(dǎo)通電阻×柵漏電荷（RDS(ON)×Qgd）
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低二極管正向電壓：VDSF＝-1.35V（典型值）@VGS＝-5V
（除非另有說明，Ta＝25℃）
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