2、Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor：用氮化鎵的高電子遷移率晶體管
近年來，為確保災(zāi)時(shí)通信以及完善地面通信網(wǎng)絡(luò)，作為地理位置較差地區(qū)的通信手段，衛(wèi)星通信備受矚目。尤其是與C波段（4～8 GHz）相比，對(duì)可實(shí)現(xiàn)高速通信的Ku波段衛(wèi)星通信的需求不斷增加。
另一方面，由于對(duì)車載、可運(yùn)輸型操作以及安裝高度有相當(dāng)?shù)囊螅虼�，直接影響地面站大小的功率放大器的小型輕量化便成了亟待解決的問題。
此次，本公司開始發(fā)售業(yè)界頂級(jí)水平的Ku波段50W GaN HEMT 新產(chǎn)品。該產(chǎn)品具有50W輸出功率、功率附加效率30％、線性增益9dB的性能。
以往采用GaAs（砷化鎵）的功率放大器上的高頻器件數(shù)量由此可減去一半。此外，功率附加效率的改善和電路帶來的損耗降低等的效率改善，有助于功率放大器的小型與低功耗化。
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