布局光伏PIM模塊產(chǎn)品

　　核心專利為客戶提供最高效率及可靠性

　　光伏逆變器在全球不斷擴(kuò)大的新能源領(lǐng)域扮演著關(guān)鍵角色，其性能影響整個(gè)光伏系統(tǒng)的平穩(wěn)性、發(fā)電效率和使用年限。PIM(功率集成)模塊是光伏逆變器的核心部件，通過控制其內(nèi)部各個(gè)功率器件輪流導(dǎo)通和關(guān)斷，再經(jīng)由變壓器藕合升壓或降壓，最終實(shí)現(xiàn)直流和交流之間的轉(zhuǎn)換。

　　應(yīng)用中，為盡可能地降低開關(guān)器件的損耗，PWM(脈寬調(diào)制)控制策略使上橋臂開關(guān)管頻率設(shè)定為電網(wǎng)頻率(例如50hz)，而下橋臂開關(guān)管則工作在較高的開關(guān)頻率下，來實(shí)現(xiàn)輸出正弦波。這樣的工作模式對(duì)全橋逆變中上下開關(guān)管的性能要求不同，上橋臂應(yīng)用工況與Si IGBT匹配，下橋臂應(yīng)用工況與SiC MOSFET匹配。典型模塊及電路拓?fù)淙缦滤�示�?br />

圖 典型模塊結(jié)構(gòu)及電路拓?fù)?/span>

　　Si IGBT與SiC MOSFET的特性如下表所示。

表 Si IGBT與SiC MOSFET的特性

　　基于上述兩種芯片的特性差異及典型失效原因，北一半導(dǎo)體針對(duì)Si IGBT/SiC MOSFET混合封裝的PIM模塊提出了一種獨(dú)特的直接敷銅板(DBC)設(shè)計(jì)，以增強(qiáng)模塊可靠性，降低芯片失效。

表 發(fā)明的DBC結(jié)構(gòu)

　　設(shè)計(jì)針對(duì)上述Si IGBT與SiC MOSFET芯片特點(diǎn)進(jìn)行，在Si IGBT/SiC MOSFET混合封裝PIM模塊DBC中采用不同厚度的銅層解決上述芯片應(yīng)用中存在的問題。其中Si IGBT芯片采用薄銅層降低芯片熱阻，降低芯片工作結(jié)溫。SiC MOSFET芯片采用厚銅層提高熱容，降低SiC MOSFET芯片短路時(shí)芯片溫度，提高SiC MOSFET芯片短路時(shí)間。

　　該方式不需調(diào)整模塊封裝工藝，同時(shí)不用厚度、結(jié)構(gòu)的DBC可由廠商直接提供，可實(shí)施強(qiáng)。

　　北一半導(dǎo)體將持續(xù)關(guān)注光伏、新能源汽車、風(fēng)電等領(lǐng)域?qū)�IGBT模塊產(chǎn)品的需求，通過持續(xù)創(chuàng)新為客戶提供最佳的產(chǎn)品效率及可靠性。