身為全球知名的功率半導(dǎo)體提供商，富士電機在功率半導(dǎo)體芯片、封裝技術(shù)以及規(guī)模生產(chǎn)上一直走在行業(yè)的前沿。在近期深圳PCIMAsia2021電力電子展上，富士電機展示了面向可再生能源，電動汽車，變頻家電，軌道牽引，工業(yè)自動化等領(lǐng)域的，最新第七世代X-IGBT、RC-IGBT、SiC(全碳化硅/混合型)，并提供了覆蓋市場主流以及符合業(yè)界未來需求的:Dual-XT、STD、HPnC、Small-IPM等封裝。

RC-IGBT

SiC模塊

其中，第七代產(chǎn)品X系列IGBT和RC-IGBT成為本次富士電機展出的亮點：X系列IGBT連續(xù)最高工作結(jié)溫可達到175度，輸出電流最高可增加30%，并且比上一代產(chǎn)品體積更小，能夠幫助逆變器運行功耗降低10%，更好地讓整機設(shè)備節(jié)省能源和電力成本上發(fā)揮效應(yīng)。

另外，作為X芯片的一個擴展：RC-IGBT；該器件將傳統(tǒng)IGBT芯片和FWD集成在單個芯片上，和之前產(chǎn)品相比，封裝面積減少25%、發(fā)熱減少33%，同時因芯片間發(fā)熱均勻而帶來了較高的穩(wěn)定性，同封裝下能支持更高功率所需的輸出電流。

隨著市場對于功率器件小體積、大電流、高功率密度的追求越來越迫切，碳化硅成為了下一代功率器件的發(fā)展方向。目前，富士擁有全碳化硅功率器件，以及混合碳化硅器件產(chǎn)品，進一步滿足了用戶在新產(chǎn)品開發(fā)上的需求并且已經(jīng)大批量使用于日本新干線。

缺芯問題的出現(xiàn)一方面是由于市場和環(huán)境的不確定性，導(dǎo)致了廠商的投資更加謹慎；另一方面是新能源電力、電動汽車等需求的井噴加劇了供應(yīng)的短缺。針對這一問題，富士電機已計劃追加投資400億日元（3.65億美元）用于擴充功率半導(dǎo)體產(chǎn)能。

過去一年，富士電機在中國的市場表現(xiàn)高于預(yù)期，除了傳統(tǒng)工業(yè)自動化以外，在新能源電力，變頻家電，電動汽車方面也取得了較好的增長。目前IGBT存量市場主要集中在工業(yè)領(lǐng)域，例如工業(yè)自動化、電梯等，每年保持增幅在10%以內(nèi)。

新能源是增長較快的一個市場，由于國家要達到節(jié)能減排和雙碳目標(biāo)，新能源未來是一個增量市場，例如電動汽車、風(fēng)力發(fā)電、光伏發(fā)電等，這些領(lǐng)域也將成為富士電機的一個重要發(fā)展方向。

富士電機會根據(jù)市場的整體容量和增長速度進行戰(zhàn)略調(diào)整，存量市場方面目前市場份額比較穩(wěn)定，富士電機將努力保持既有的市場增速。另一方面，富士電機未來投資會著眼于在以電動汽車為首的包括新能源、電氣化等增量市場。

隨著本土廠商的快速發(fā)展，未來占據(jù)一定的市場份額是可以預(yù)見的，本土企業(yè)在獲取投資、成本管理、市場跟隨性、靈活性等有天然優(yōu)勢。對此，富士電機采取了差異化競爭的戰(zhàn)略，在一些區(qū)別化/優(yōu)勢產(chǎn)品上加大投入。

在十四五計劃和雙碳目標(biāo)下，中國的功率半導(dǎo)體市場潛力與挑戰(zhàn)是巨大的，面對可再生能源領(lǐng)域需求不斷增長的趨勢，富士電機將會緊跟市場方向和政策，進行下一代產(chǎn)品的開發(fā)和投入，以滿足日益增長的市場需求。