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緊貼碳排放目標(biāo),富士電機(jī)加快下一代IGBT布局

已有24391次閱讀2021-09-29標(biāo)簽:
   近年來,隨著新能源電力、電動(dòng)汽車等行業(yè)的快速發(fā)展,對(duì)于核心組件IGBT的需求日益增大。而中國作為全球最大的功率半導(dǎo)體市場,已經(jīng)成為了國內(nèi)外廠商必爭之地。

  身為全球知名的功率半導(dǎo)體提供商,富士電機(jī)在功率半導(dǎo)體芯片、封裝技術(shù)以及規(guī)模生產(chǎn)上一直走在行業(yè)的前沿。在近期深圳PCIMAsia2021電力電子展上,富士電機(jī)展示了面向可再生能源,電動(dòng)汽車,變頻家電,軌道牽引,工業(yè)自動(dòng)化等領(lǐng)域的,最新第七世代X-IGBT、RC-IGBT、SiC(全碳化硅/混合型),并提供了覆蓋市場主流以及符合業(yè)界未來需求的:Dual-XT、Prime-Pack、STD、HPnC、Small-IPM等封裝。

  RC-IGBT

  SiC模塊

  其中,第七代產(chǎn)品X系列IGBT和RC-IGBT成為本次富士電機(jī)展出的亮點(diǎn):X系列IGBT連續(xù)最高工作結(jié)溫可達(dá)到175度,輸出電流最高可增加30%,并且比上一代產(chǎn)品體積更小,能夠幫助逆變器運(yùn)行功耗降低10%,更好地讓整機(jī)設(shè)備節(jié)省能源和電力成本上發(fā)揮效應(yīng)。

  另外,作為X芯片的一個(gè)擴(kuò)展:RC-IGBT;該器件將傳統(tǒng)IGBT芯片和FWD集成在單個(gè)芯片上,和之前產(chǎn)品相比,封裝面積減少25%、發(fā)熱減少33%,同時(shí)因芯片間發(fā)熱均勻而帶來了較高的穩(wěn)定性,同封裝下能支持更高功率所需的輸出電流。

  隨著市場對(duì)于功率器件小體積、大電流、高功率密度的追求越來越迫切,碳化硅成為了下一代功率器件的發(fā)展方向。目前,富士擁有全碳化硅功率器件,以及混合碳化硅器件產(chǎn)品,進(jìn)一步滿足了用戶在新產(chǎn)品開發(fā)上的需求并且已經(jīng)大批量使用于日本新干線。

  缺芯問題的出現(xiàn)一方面是由于市場和環(huán)境的不確定性,導(dǎo)致了廠商的投資更加謹(jǐn)慎;另一方面是新能源電力、電動(dòng)汽車等需求的井噴加劇了供應(yīng)的短缺。針對(duì)這一問題,富士電機(jī)已計(jì)劃追加投資400億日元(3.65億美元)用于擴(kuò)充功率半導(dǎo)體產(chǎn)能。

  過去一年,富士電機(jī)在中國的市場表現(xiàn)高于預(yù)期,除了傳統(tǒng)工業(yè)自動(dòng)化以外,在新能源電力,變頻家電,電動(dòng)汽車方面也取得了較好的增長。目前IGBT存量市場主要集中在工業(yè)領(lǐng)域,例如工業(yè)自動(dòng)化、電梯等,每年保持增幅在10%以內(nèi)。

  新能源是增長較快的一個(gè)市場,由于國家要達(dá)到節(jié)能減排和雙碳目標(biāo),新能源未來是一個(gè)增量市場,例如電動(dòng)汽車、風(fēng)力發(fā)電、光伏發(fā)電等,這些領(lǐng)域也將成為富士電機(jī)的一個(gè)重要發(fā)展方向。

  富士電機(jī)會(huì)根據(jù)市場的整體容量和增長速度進(jìn)行戰(zhàn)略調(diào)整,存量市場方面目前市場份額比較穩(wěn)定,富士電機(jī)將努力保持既有的市場增速。另一方面,富士電機(jī)未來投資會(huì)著眼與在以電動(dòng)汽車為首的包括新能源、電氣化等增量市場。

  隨著本土廠商的快速發(fā)展,未來占據(jù)一定的市場份額是可以預(yù)見的,本土企業(yè)在獲取投資、成本管理、市場跟隨性、靈活性等有天然優(yōu)勢。對(duì)此,富士電機(jī)采取了差異化競爭的戰(zhàn)略,在一些區(qū)別化/優(yōu)勢產(chǎn)品上加大投入。

  在十四五計(jì)劃和雙碳目標(biāo)下,中國的功率半導(dǎo)體市場潛力與挑戰(zhàn)是巨大的,面對(duì)可再生能源領(lǐng)域需求不斷增長的趨勢,富士電機(jī)將會(huì)緊跟市場方向和政策,進(jìn)行下一代產(chǎn)品的開發(fā)和投入,以滿足日益增長的市場需求。
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