由于采用新型微溝槽技術(shù)，TRENCHSTOP IGBT7芯片的靜態(tài)損耗大大降低。在相同的電流等級(jí)下，TRENCHSTOP IGBT7芯片的通態(tài)電壓可以降低10%。這使得應(yīng)用中的損耗大幅降低，尤其能使通常在中等開(kāi)關(guān)頻率下運(yùn)行的工業(yè)驅(qū)動(dòng)的損耗大大降低。IGBT T7技術(shù)的飽和電壓（V CE(sat)）很低，并帶有發(fā)射極控制的第七代（EC7）二極管，該二極管的正向壓降（V F）可減小150 mV，同時(shí)還能提高反向恢復(fù)軟度。
TRENCHSTOP IGBT7器件具有優(yōu)異的可控性和卓越的抗電磁干擾性能。它很容易通過(guò)調(diào)整來(lái)達(dá)到特定于應(yīng)用的最佳dv/dt和開(kāi)關(guān)損耗。650V TRENCHSTOP IGBT7擁有應(yīng)用所需的抗短路能力。此外，它還通過(guò)了基于JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的HV-H3TRB（高壓高濕高溫反偏）試驗(yàn)，證明該器件在常見(jiàn)的工業(yè)應(yīng)用的高濕環(huán)境中具有良好的耐用性。
供貨情況
650 V TRENCHSTOP IGBT7分立式器件現(xiàn)已接受訂購(gòu)。如欲了解更多信息，敬請(qǐng)?jiān)L問(wèn)https://www.infineon.com/igbt7。
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