新型冠狀病毒的影響是史無前例的，半導(dǎo)體行業(yè)正在感受到這種影響，英飛凌首席執(zhí)行官雷因哈德普洛斯表示，在全球經(jīng)濟嚴(yán)重下滑的形勢，英飛凌也將無法幸免。
不過，英飛凌對于中國市場依然是充滿信心的。最近，英飛凌科技中國區(qū)總裁蘇華接受媒體采訪時表示，新冠病毒帶來了短期的挑戰(zhàn)，但相信中國經(jīng)濟的韌性，作為世界第二大經(jīng)濟體，其市場潛力不可低估。
作為全球半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者，英飛凌已經(jīng)在中國深耕了25年之久，并在過去的十年間一直保持著兩位數(shù)的增長。蘇華認(rèn)為，疫情不會影響英飛凌在中國市場的長期計劃和戰(zhàn)略。
據(jù)了解。英飛凌在無錫的工廠已經(jīng)于2月底開工，這也是當(dāng)?shù)氐谝患一謴?fù)生產(chǎn)的工廠，其95％以上的一線員工已經(jīng)返回工作場所。目前中國疫情基本處于零增長的狀態(tài)，而經(jīng)濟系統(tǒng)有望在下半年完全恢復(fù)。
英飛凌前身是西門子集團的半導(dǎo)體部門，于1999年開始獨立運營，并在2000年上市，如今是全球十大半導(dǎo)體制造商之一。目前，英飛凌主要為汽車、工業(yè)及物聯(lián)網(wǎng)通信等行業(yè)提供功率器件（IGBT）等半導(dǎo)體產(chǎn)品和系統(tǒng)解決方案。
功率半導(dǎo)體是控制電力變換的核心器件，廣泛應(yīng)用于汽車、鐵路、能源、電力和消費電子等眾多行業(yè)，特別是在高壓應(yīng)用中，對IGBT組件有很大的需求，例如開關(guān)電源、電機驅(qū)動、太陽能逆變器、不間斷電源等等。
新能源汽車?yán)瓌覫GBT模塊需求
近年來，燃油汽車受到了越來越多的限制，人們開始轉(zhuǎn)向新能源汽車。加上，物聯(lián)網(wǎng)和人工智能技術(shù)推動下，無人駕駛和智能聯(lián)網(wǎng)汽車取得了重大的進展，新能源電動汽車表現(xiàn)出巨大的市場潛力，并拉動了IGBT需求的旺盛增長。
IGBT被譽為電動汽車的CPU，在新能源汽車中其重要性的顯然易見，它負(fù)責(zé)著將燃料電池的能量轉(zhuǎn)換為交流，然后驅(qū)動電機運轉(zhuǎn)的重要任務(wù)，而IGBT的需求也將會隨著電動汽車的增長而增長。
目前，電動汽車已經(jīng)成為汽車制造商的必爭之地，許多汽車制造商已經(jīng)在縮減和關(guān)閉傳統(tǒng)燃油汽工廠，并開始大力投資電動汽車。
未來汽車的主要方向是電氣化、自動化、智能化，功率半導(dǎo)體是關(guān)鍵技術(shù)，而英飛凌是汽車行業(yè)功率半導(dǎo)體最大的供貨商，其市場占比達到60%。最近，英飛凌推出了其新產(chǎn)品CoolMOSCFD7A系列，一款基于硅的高性能產(chǎn)品，可用于車載充電器系統(tǒng)的PFC和DC-DC，以及還有專門針對電動汽車應(yīng)用優(yōu)化的HV-LVDC-DC轉(zhuǎn)換器。
黎明前是最黑暗的，英飛凌正在從當(dāng)前的全球危機中恢復(fù)。自收購賽普拉斯之后，英飛凌成為全球第三大MCU供應(yīng)商和最大的功率分立器件和模塊供應(yīng)商，其投資組合多元化有助于增加收入。那么，隨著汽車制造商向新的技術(shù)發(fā)展，對英飛凌汽車零部件的需求將會增加。
千萬芯顆片打開醫(yī)療設(shè)備市場
疫情期間，呼吸機成為了一個緊缺的產(chǎn)品，而英飛凌在呼吸機的生產(chǎn)中起著至關(guān)重要的作用，其可靠、高效的功率半導(dǎo)體被用于呼吸機中對電動機進行控制，成為醫(yī)療設(shè)備領(lǐng)域一個卓越的解決方案。
根據(jù)英飛凌管理委員會成員HelmutGassel博士的描述，大約3800萬個功率半導(dǎo)體被生產(chǎn)出來，并用于醫(yī)療呼吸機。英飛凌在短時間內(nèi)供了這些產(chǎn)品，為疫情危機處理做出巨大的貢獻。
英飛凌快速為呼吸機提供所需的功率半導(dǎo)體，意味著能夠挽救更多的生命。對于ResMed及其它呼吸機生產(chǎn)商生產(chǎn)商來說，只有英飛凌這樣的大廠才能如此快速提供全新的解決方案。
此外，英飛凌還有望在醫(yī)療領(lǐng)域擴大應(yīng)用。醫(yī)療設(shè)備廠商在應(yīng)對變化市場需求時，需要不斷地改變產(chǎn)品方向，這就對于供應(yīng)商提出了更多的條件，這種情況下，強大的產(chǎn)品開發(fā)和創(chuàng)新能力，是嚴(yán)酷的市場環(huán)境下的最好競爭力。
英飛凌在電池供電領(lǐng)域擁有長期積累和專業(yè)知識，形成了廣泛的產(chǎn)品組合，其小巧緊湊設(shè)計的功率MOSFET，具有低開關(guān)損耗，低熱量產(chǎn)生和最高的運行可靠性，特別適合便攜式/消費類設(shè)備。
第六代碳化硅技術(shù)孕育新機遇
隨著電動汽車、燃料電池車、混合動力車等新能源汽車產(chǎn)品的不斷升級發(fā)展，傳統(tǒng)IGBT已經(jīng)不能滿足市場對于高性能、長續(xù)航的訴求。而第三代半導(dǎo)體高擊穿電場、高電子密度、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率和高遷移率等特點，成為了半導(dǎo)技術(shù)發(fā)展主流。
第三代半導(dǎo)體技術(shù)關(guān)鍵是材料技術(shù)，例如氮化鎵、碳化硅、金剛石等寬帶隙半導(dǎo)體。禁帶寬度是半導(dǎo)體的一個重要特性參數(shù)，反映了被束縛的電子轉(zhuǎn)換成自由電子所需要獲得的能量，通常大于2.3eV的稱為寬帶隙半導(dǎo)體。其中，碳化硅由于成本低、缺陷低、純度高等優(yōu)點，被視為下一代功率半導(dǎo)體代表材料，其優(yōu)秀的散熱性能，更高的工作電壓和轉(zhuǎn)換效率，正好迎合了電動汽車等新市場的新需求。
英飛凌在碳化硅半導(dǎo)體方面的研究已經(jīng)有十余年的積累，其碳化硅二極管已經(jīng)推出到第六代產(chǎn)品，其中也包括有應(yīng)用于汽車領(lǐng)域大功率碳化硅模塊。今年早些時候，英飛凌推出了650VCoolSiMOSFET，一款高開關(guān)頻率，保持效率和可靠性的產(chǎn)品。
目前，平面式和溝槽式是碳化硅的主流制造工藝，前者容易產(chǎn)生電子的擾流散射，導(dǎo)致產(chǎn)品可靠性下降，而英飛凌新產(chǎn)品采用了溝槽式設(shè)計，不僅兼顧產(chǎn)品的可靠性，同時提升了電源的效率，這種設(shè)計方式讓功率半導(dǎo)體發(fā)揮出極佳的水平。
由于新一代碳化硅功率半導(dǎo)體可以承受更高的電壓，與傳統(tǒng)產(chǎn)品相比具有更廣泛的應(yīng)用場景，包括新能源汽車動力系統(tǒng)、光伏發(fā)電、充電樁、風(fēng)電系統(tǒng)、以及工業(yè)電源、通信電源、不間斷電源系統(tǒng)和存能系統(tǒng)等等�？梢�，英飛凌功率半導(dǎo)體仍然有很大的成長空間。
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