3月7日，日本NGK（礙子）公司宣布將投資50億日元（約合人民幣2.44億元）擴大絕緣散熱電路板（以氮化硅基板進行金屬化和蝕刻）生產(chǎn)能力的決定，在2026年提高到目前水平的2.5倍左右。   由于（SiC）功率半導體越來越多地被采用，就要求該系統(tǒng)在大功率的高溫環(huán)境下也能穩(wěn)定運行，氮化硅絕緣散熱電路板以高導熱和高機械強度而在目前用于控制電動汽車（EV）和混合動力汽車（HEV）電機的逆變器，實現(xiàn)高可靠性和優(yōu)異的散熱特性。   如上圖所示，NGK擁有的自主接合（活性金屬釬焊AMB）技術，可以讓氮化硅陶瓷基板和銅板之間[登陸后可查看全文]