氮化鎵（GaN）功率器件具有擊穿電壓高、導(dǎo)通損耗低等優(yōu)異特性，有望成為下一代高密度、高頻率電力系統(tǒng)的主流器件。由于其出色的高頻性能，GaN功率器件在消費(fèi)類電子產(chǎn)品中，如快充充電器，已經(jīng)展示出明顯的優(yōu)勢(shì)。然而，在像電機(jī)驅(qū)動(dòng)這樣的工業(yè)、汽車應(yīng)用中，GaN功率器件需要經(jīng)過額外的可靠性驗(yàn)證，尤其是短路（short circuit）可靠性。不過，目前GaN功率器件的短路可靠性仍處于較差的水平，這阻礙了其在工業(yè)級(jí)高功率領(lǐng)域的大規(guī)模應(yīng)用。 負(fù)載短路狀態(tài)下，GaN功率器件同時(shí)承受高電壓和大電流，快速導(dǎo)致晶體管損壞。盡管目前有大量關(guān)于測(cè)試表[登陸后可查看全文]