碳化硅(SiC)具有寬帶隙、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高熱導(dǎo)率等優(yōu)異性能，在新能源汽車、光伏和5G通訊等領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用。與目前應(yīng)用廣泛的4H-SiC相比，立方SiC(3C-SiC)具有更高的載流子遷移率(2-4倍)、低的界面缺陷態(tài)密度(低1個數(shù)量級)和高的電子親和勢(3.7eV)。利用3C-SiC制備場效應(yīng)晶體管，可解決柵氧界面缺陷多導(dǎo)致的器件可靠性差等問題。但3C-SiC基晶體管進展緩慢，主要是缺乏單晶襯底。前期大量研究表明，3C-SiC在生長過程中很容易發(fā)生相變，已有的生長方法不能獲得單一晶型的晶體。   根據(jù)經(jīng)典晶體生長理論，對于[登陸后可查看全文]