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日本科學(xué)家開發(fā)出散熱能力超通用產(chǎn)品兩倍的GaN晶體管

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2023年12月1日,大阪公立大學(xué)和東北大學(xué)宣布,兩所大學(xué)的研究小組和其他研究小組利用金剛石作為基板制造出了氮化鎵(GaN)晶體管,與在碳化硅(SiC)基板上制造的相同形狀的晶體管相比,成功地將散熱量提高了兩倍以上。這種晶體管不僅有望應(yīng)用于5G通信基站、氣象雷達(dá)和衛(wèi)星通信領(lǐng)域,還有望應(yīng)用于迄今為止一直使用真空管的微波加熱和等離子體處理領(lǐng)域。該研究成果于2023年11月15日發(fā)表在國(guó)際期刊《Small》上。 金剛石襯底上的氮化鎵晶體管   研究背景 氮化鎵晶體管在移動(dòng)數(shù)據(jù)通信基站和衛(wèi)星通信系統(tǒng)等中被用作高功率、高頻率半[登陸后可查看全文]
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