第三代化合物半導(dǎo)體憑借其顯著的性能特點(diǎn)，展示出在新能源汽車、5G通信、可再生能源等領(lǐng)域具有廣泛的需求前景，且其器件生產(chǎn)工藝和技術(shù)也日趨成熟。但是目前的市場普及率仍然非常低，尤其和硅基器件相比仍有數(shù)量級差距。 以氮化鎵（GaN）器件為例，從材料成本來說并不會(huì)比硅基器件昂貴，但其市場價(jià)格卻遠(yuǎn)高于硅基器件。很多人認(rèn)為是氮化鎵器件規(guī)模仍然不足，導(dǎo)致成本均攤困難。但在我們看來，規(guī)模是結(jié)果而并非原因，本質(zhì)問題出現(xiàn)在產(chǎn)業(yè)效率上，只有把系統(tǒng)效率提升，才能用更低的成本推動(dòng)器件的大規(guī)模應(yīng)用。就像星鏈衛(wèi)星是因?yàn)楸?a href="http://fwzxxd.cn/member/login.php?forward=http://fwzxxd.cn/magazine/show-7348.html">[登陸后可查看全文]