在電力電子的很多應(yīng)用，如電機(jī)驅(qū)動(dòng)，有時(shí)會出現(xiàn)短路的工況。這就要求功率器件有一定的扛短路能力，即在一定的時(shí)間內(nèi)承受住短路電流而不損壞。   目前市面上大部分IGBT都會在數(shù)據(jù)手冊中標(biāo)出短路能力，大部分在5~10μs之間，例如英飛凌IGBT3/4的短路時(shí)間是10μs，IGBT7短路時(shí)間是8μs。   而大部分的SiC MOSFET都沒有標(biāo)出短路能力，即使有，也比較短，例如英飛凌的CoolSiCTM MOSFET單管封裝器件標(biāo)稱短路時(shí)間是3μs，EASY封裝器件標(biāo)稱短路時(shí)間是2μs。   為什么IGBT和SiC MOSFET短路能力差這么多，這[登陸后可查看全文]