新能源汽車和光伏，儲(chǔ)能設(shè)施在全球加速普及，為第三代半導(dǎo)體碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率器件產(chǎn)業(yè)的落地提供了前所未有的契機(jī)。長(zhǎng)電科技厚積薄發(fā)定位創(chuàng)新前沿，多年來面向第三代半導(dǎo)體功率器件開發(fā)完成的高密度成品制造解決方案進(jìn)入產(chǎn)能擴(kuò)充階段，預(yù)計(jì)2024年起相關(guān)產(chǎn)品營(yíng)收規(guī)模翻番，將有利促進(jìn)第三代半導(dǎo)體器件在全球應(yīng)用市場(chǎng)的快速上量。 碳化硅，氮化鎵產(chǎn)品相對(duì)于傳統(tǒng)的硅基功率器件具有更高的開關(guān)速度，支持高電流密度，耐受更高的溫度，低導(dǎo)通和開通損耗的同時(shí)，也伴隨著一些挑戰(zhàn)，如寄生電感效應(yīng)、封裝寄生電阻、電磁[登陸后可查看全文]