據日經中文網，日本最大的半導體晶圓企業(yè)信越化學工業(yè)和從事ATM及通信設備的OKI公司日前宣布，其開發(fā)出了以低成本制造使用氮化鎵（GaN）的功率半導體材料的技術。新技術可以在特有的QST基板上噴鎵系氣體，使晶體生長。信越化學工業(yè)的增厚晶體技術與OKI的接合技術相結合，從基板上只揭下晶體，晶體放在其他基板上作為功率半導體的晶圓使用。新制法可以高效制造晶體，可以降低9成成本。信越化學工業(yè)透露，這一技術可以制造6英寸晶圓，希望在2025年增大到8英寸，今后還考慮向半導體廠商銷售技術等業(yè)務模式。 氮化鎵是最具代表性的第[登陸后可查看全文]