近日，又有2個IGBT項目傳來進展，項目達產(chǎn)后最高將形成年產(chǎn)120只功率半導體產(chǎn)能。 核加微：投資近10億 IGBT項目開工 據(jù)“美麗蘇州灣”公眾號消息，5月7日，蘇州市核加微電子半導體芯片項目在蘇州東太湖度假區(qū)（太湖新城）開工。 據(jù)介紹，該項目位于太湖新城友誼工業(yè)區(qū)，占地約48.05畝，總投資9.9億元，計劃采用自動貼片、真空焊接、自動鍵合、封裝等先進技術，研發(fā)制造車規(guī)級IGBT模塊和AC-DC轉換模塊等新產(chǎn)品。預計達產(chǎn)后形成年產(chǎn)半導體分立器件及其他電子器件400萬套產(chǎn)能規(guī)模，實現(xiàn)新增產(chǎn)值8.3億元。 &nbs[登陸后可查看全文]