增強(qiáng)型GaN器件由于其優(yōu)異的高頻開關(guān)特性使得產(chǎn)品具有更高的能效和功率密度，從而減小充電器的體積和重量，在消費(fèi)類的PD快充已經(jīng)取得了廣泛應(yīng)用。目前的增強(qiáng)型GaN器件主要是采用各類DFN封裝形式，由于DFN貼片封裝具有較低的寄生參數(shù)，其非常適合GaN器件工作在較高的開速度和開關(guān)頻率。 但是DFN封裝的散熱能力不足，不易進(jìn)行系統(tǒng)熱設(shè)計(jì)，且封裝成本較高，限制了增強(qiáng)型GaN器件在更多場景的應(yīng)用。據(jù)充電頭網(wǎng)獲悉，能華半導(dǎo)體為此于近期推出了TO252封裝的增強(qiáng)型GaN器件CE65E300TOBI，以及采用該器件的適配器電源的應(yīng)用解決方案。[登陸后可查看全文]