高頻、高壓的氮化鎵+低壓硅系統(tǒng)控制器的戰(zhàn)略性集成，實現(xiàn)易用、高效、可快速充電的電源系統(tǒng)。  美國加利福尼亞州托倫斯，2023年3月20日訊——唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者—納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）發(fā)布全新GaNSense™ Control合封氮化鎵功率芯片，帶來前所未有的高集成度和性能表現(xiàn)。  氮化鎵是相比傳統(tǒng)高壓(HV)硅(Si)功率半導(dǎo)體有著重大升級的下一代半導(dǎo)體技術(shù)，同時還減少了提供相同性能所需的能源和物理空間。采用了氮化鎵的充[登陸后可查看全文]