隨著現(xiàn)代材料科技的創(chuàng)新發(fā)展，半導(dǎo)體材料已經(jīng)由第一代的硅、鍺等元素半導(dǎo)體材料，發(fā)展為以碳化硅和氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體材料，推動(dòng)了現(xiàn)代互聯(lián)網(wǎng)、通信、新能源等新興產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展。 我國提出了“雙碳”目標(biāo)后，對(duì)半導(dǎo)體材料的應(yīng)用與發(fā)展提出了更高的要求，業(yè)內(nèi)人士紛紛認(rèn)為，具備可提升能源轉(zhuǎn)換效率特點(diǎn)的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)逐漸進(jìn)入發(fā)展快車道。 毫無疑問，以碳化硅和氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體材料具備耐高溫、耐高壓、高頻率、大功率、抗輻射等優(yōu)異特性，相對(duì)硅基功率器件而言，碳化硅或氮化鎵器件在[登陸后可查看全文]