近日，山東大學(xué)陶緒堂教授團(tuán)隊(duì)使用導(dǎo)模法(EFG)成功制備了外形完整的4英寸(001)主面氧化鎵(β-Ga2O3)單晶,并對(duì)其性能進(jìn)行了分析。該成果是繼2019年團(tuán)隊(duì)獲得4英寸(100)主面單晶后的又一新突破。 據(jù)悉,勞厄測(cè)試衍射斑點(diǎn)清晰、對(duì)稱,說明晶體具有良好的單晶性,無孿晶;X射線衍射搖擺曲線顯示晶體(400)面半峰全寬僅為57.57″,結(jié)晶質(zhì)量較高;濕法化學(xué)腐蝕測(cè)試結(jié)果表明,晶體位錯(cuò)密度為1.06×104 cm-2;C-V測(cè)試確認(rèn)β-Ga2O3晶體中載流子濃度為7.77×1016 cm-3。測(cè)試結(jié)果表明,該團(tuán)隊(duì)通過導(dǎo)模法獲得了高質(zhì)量的4英寸&be[登陸后可查看全文]