東芝近日官網(wǎng)宣布，第三代SiC MOSFET（碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管）計(jì)劃在今年8月下旬開(kāi)始量產(chǎn)。據(jù)了解，該新產(chǎn)品使用全新的器件結(jié)構(gòu)，具有低導(dǎo)通電阻，且開(kāi)關(guān)損耗與第二代產(chǎn)品相比降低了約20％。 東芝的第二代SiC MOSFET量產(chǎn)于2020年8月。今年一季度，東芝宣布在內(nèi)部生產(chǎn)用于功率半導(dǎo)體的SiC外延片，并且投資55億用于功率器件擴(kuò)產(chǎn)，包括建設(shè)8英寸的碳化硅和氮化鎵生產(chǎn)線(xiàn)。 東芝表示，未來(lái)這種“外延設(shè)備+外延片+器件”的IDM模式，有利于他們搶占鐵路、海上風(fēng)力發(fā)電、數(shù)據(jù)中心以及車(chē)載等市場(chǎng)。 SiC在高壓、高功率應(yīng)用場(chǎng)景下性能[登陸后可查看全文]