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爆發(fā)式增長,碳化硅迎“上車”好時機

作 者:PCIM Asia 單 位: 閱讀 6612
碳化硅作為寬禁帶半導體材料,相對于SI基器件具備降低電能轉(zhuǎn)換過程中的能量損耗、更容易小型化、更耐高溫高壓的優(yōu)勢,因此被汽車廠商看中。如今,碳化硅“上車”已成為新能源汽車產(chǎn)業(yè)難以繞開的話題,而這要歸功于搭載意法半導體碳化硅器件的特斯拉Model3的問世,使諸多半導體企業(yè)在碳化硅上“卷”了起來。 特斯拉率先使用SiC逆變器,直接打開了碳化硅(SiC)在新能源汽車的預期空間。將硅(Si)基組件替換成碳化硅(SiC)能明顯地提升車輛的續(xù)航能力。根據(jù)Wolfspeed數(shù)據(jù),在逆變器中使用SiC器件后,能減小整體的體[登陸后可查看全文]
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