為應(yīng)對(duì)氣候變化，2020年9月，中國(guó)宣布了“2030碳達(dá)峰”和“2060碳中和”的愿景。 身處半導(dǎo)體賽道的行業(yè)巨頭們，早就按捺不住內(nèi)心的渴望，開(kāi)始向“碳中和”市場(chǎng)進(jìn)軍。以碳化硅（SiC）為代表的寬禁帶半導(dǎo)體（第三代半導(dǎo)體）成為市場(chǎng)聚焦的新賽道。 碳化硅作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場(chǎng)、更高的熱導(dǎo)率、更大的電子飽和漂移速度以及更高的抗輻射能力，是制造高溫、高頻、大功率半導(dǎo)體器件的理想材料，是未來(lái)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要方向，將成為支撐5G網(wǎng)絡(luò)建設(shè)、新能[登陸后可查看全文]