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第三代半導(dǎo)體:即將爆發(fā)的明日之星

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  2021年是“十四五”的開局之年,作為十四五期間以及之后較長時間國內(nèi)經(jīng)濟(jì)轉(zhuǎn)型升級的關(guān)鍵,科技領(lǐng)域尤其是作為科技產(chǎn)業(yè)底層基礎(chǔ)的半導(dǎo)體,是國內(nèi)科技產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)自主可控的重點(diǎn)。美國在特朗普任期內(nèi)對華為、中芯國際等中國科技企業(yè)的制裁和封殺還歷歷在目,從美國制裁的方向看,半導(dǎo)體同樣也是美國限制中國科技崛起的焦點(diǎn)。對此,國家針對半導(dǎo)體領(lǐng)域進(jìn)行了專門的政策傾斜,“十四五”國家研發(fā)計劃已明確第三代半導(dǎo)體是重要發(fā)展方向。今天我們就來聊一聊第三代半導(dǎo)體材料中的碳化硅(SiC)。 目前絕大多數(shù)半導(dǎo)體[登陸后可查看全文]
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