隨著功率半導(dǎo)體器件逐漸往高壓、高頻方向發(fā)展，傳統(tǒng)的硅基功率半導(dǎo)體器件及其材料越來越接近物理極限，再往下發(fā)展的空間很有限。因而產(chǎn)業(yè)界紛紛將目光轉(zhuǎn)向以SiC、GaN為代表的第三代半導(dǎo)體材料聚焦，以期開發(fā)出更能適應(yīng)高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣條件的功率半導(dǎo)體器件。目前，國內(nèi)外功率半導(dǎo)體大廠正在加緊布局中。 作為國內(nèi)第三代半導(dǎo)體的領(lǐng)軍企業(yè)，深圳基本半導(dǎo)體自成立以來便一直致力于SiC功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。在外延制備、芯片設(shè)計、制造工藝、封裝測試、驅(qū)動應(yīng)用等碳化硅器件產(chǎn)業(yè)鏈各個環(huán)節(jié)均有豐富的經(jīng)[登陸后可查看全文]